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황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법에 있어서,황화물계 비정질 고체전해질을 준비하는 단계와;상기 황화물계 비정질 고체전해질을 포함하는 슬러리를 제조하는 단계와;상기 슬러리를 집전체에 도포한 후 열처리 및 압착하여 고체전해질을 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 황화물계 비정질 고체전해질은,결정화시 10-4 내지 10-2S/cm의 이온전도도를 갖는 고체전해질인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 황화물계 비정질 고체전해질은,LPSX(LixPySzX, X = Cl, Br, I) 조성인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 황화물계 비정질 고체전해질은,LPSX(LixPySzX, X = Cl, Br, I) 조성의 고체전해질에 LGPS(Li10GeP2S12) 또는 LPS(Li7P3S11)계 결정질 또는 유리-결정질 고체전해질을 1 내지 50중량%로 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 황화물계 비정질 고체전해질은,LPSX(LixPySzX, X = Cl, Br, I) 조성의 고체전해질에 리튬(Li), 인(P), 황(S), 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I)를 제외한 다른 원소가 1 내지 10중량%로 함유된 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 황화물계 비정질 고체전해질은,0
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제 1항에 있어서,상기 슬러리는, 상기 황화물계 비정질 고체전해질, 바인더 및 용매로 이루어진 고체전해질 슬러리와, 상기 황화물계 비정질 고체전해질, 바인더, 도전재, 전극활물질 및 용매로 이루어진 전극복합체 슬러리인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 고체전해질을 결정화하는 단계는,상기 전극복합체 슬러리를 도포한 후 열처리 및 압착하여 전극복합체층을 형성하고, 상기 전극복합체층의 상부에 상기 고체전해질 슬러리를 도포한 후 열처리 및 압착하여 고체전해질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 고체전해질을 결정화하는 단계는,140 내지 250℃에서 열처리 및 10 내지 500MPa의 압력으로 압착하는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 포함하는 고체전해질층 및 전극복합체층의 제조방법
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전고체전지에 있어서,집전체와;상기 집전체의 상부에 형성되며, 0
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