| 1 |
1
스위칭 과정에서 절곡될 수 있는 도전성 빔 라인; 및상기 도전성 빔 라인을 중심으로 수평으로 대향하도록 배치되고 각각은 상기 스위칭 과정에서 서로 다른 전압이 인가되며 관통홀을 통해 절곡 부분과 비-절곡 부분으로 구분되는 복수의 전극들을 포함하고,상기 스위칭 과정에서 상기 복수의 전극들 중 하나인 접촉 전극은 상기 도전성 빔 라인에 인가되는 전압과 상이한 전압을 인가 받고,상기 도전성 빔 라인 및 상기 접촉 전극의 절곡 부분이 상호 절곡하여 전기 기계적으로 접촉되는 전기기계적 스위칭 소자
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 복수의 전극들의 절곡 부분은상기 복수의 전극들 각각의 비-절곡 부분과 전기적으로 연결되고 하부에 위치되는 기판과 이격되는 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 복수의 전극들 각각의 비-절곡 부분은절연막을 통해 하부에 위치되는 기판에 고정결합되는 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 도전성 빔 라인은상기 스위칭 과정에서 상기 복수의 전극들 중 다른 하나인 비-접촉 전극과 동일한 전압을 가지는 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 복수의 전극들 각각의 관통홀은하부에 위치되는 기판과 절연막 없이 이격되는 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 복수의 전극들 각각의 관통홀은그 너비로서 0
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 도전성 빔 라인은그 너비 및 두께로서 각각 0
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 도전성 빔 라인은상기 복수의 전극들 각각과의 간극으로서 0
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 복수의 전극들 각각은상기 비-절곡 부분을 절연막을 통해 하부에 있는 기판과 고정결합시키고 상기 관통홀 및 상기 절곡 부분을 상기 절연막 없이 상기 기판과 이격시키는 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 비-절곡 부분의 너비는상기 절곡 부분의 너비보다 큰 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자
|
| 13 |
13
(a) 기판을 준비하는 단계;(b) 절연층을 상기 기판에 적층하는 단계; 및(c) 스위칭 과정에서 절곡될 수 있는 도전성 빔 라인과 상기 도전성 빔 라인을 중심으로 수평으로 대향하도록 배치되고 각각은 상기 스위칭 과정에서 서로 다른 전압이 인가되며 관통홀을 통해 절곡 부분과 비-절곡 부분으로 구분되는 복수의 전극들을 생성하는 단계를 포함하고,상기 도전성 빔 라인과 상기 복수의 전극들 각각의 절곡 부분은 상기 절연층 없이 상기 기판과 이격되어 상기 도전성 빔라인 및 상기 복수의 전극들 각각에 인가되는 전압 차이에 따라 상호 절곡되는 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자 제조 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 (c) 단계는(c1) 금속을 상기 절연층에 적층하는 단계;(c2) 사진 식각 공정을 통해 상기 금속을 패터닝하여 상기 도전성 빔 라인과 상기 복수의 전극들을 동시에 생성하는 단계; 및(c3) 식각 공정을 통해 상기 절연층의 잔여물을 선택적으로 제거하여 상기 도전성 빔 라인과 상기 복수의 전극들 각각의 절곡 부분을 상기 절연층 없이 상기 기판과 이격시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자 제조 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 상기 (c2) 단계는상기 금속이 적층되면 전자빔 또는 이온빔(FIB : Focused Ion Beam) 공정을 통해 상기 금속에 상기 도전성 빔 라인과 복수의 전극들 사이의 간극을 형성하기 위한 복수의 간극 패턴들을 먼저 형성하고, 상기 금속에서 상기 간극 패턴들을 제외한 나머지 부분을 패터닝하여 상기 도전성 빔 라인과 상기 복수의 전극들을 동시에 생성하는 것을 특징으로 하는 전기기계적 스위칭 소자 제조 방법
|
