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산화인듐층 및 상기 산화인듐층과 접촉하는 산화알루미늄층을 포함하는 금속산화물 이종 접합 구조에 있어서, 상기 산화인듐층과 상기 산화알루미늄층 사이에 인듐 이온, 알루미늄 이온 및 산소 이온을 포함하고, 전하의 이동 채널을 제공하는 계면층이 형성된 것을 특징으로 하는, 금속산화물 이종 접합 구조
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제1항에 있어서, 상기 산화인듐층은 8nm 이상 15nm 이하의 두께를 갖고, 상기 산화알루미늄층은 10nm 이상의 두께를 가지며,상기 계면층은 반도체 특성을 갖는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 이종 접합 구조
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제2항에 있어서, 상기 산화인듐층은 적어도 일부분이 나노결정화된 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 이종 접합 구조
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제1항에 있어서, 상기 산화인듐층은 100nm 이상의 두께를 갖고, 상기 산화알루미늄층은 10nm 이상의 두께를 가지며,상기 계면층은 전기적 전도체의 특성을 갖는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 이종 접합 구조
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제4항에 있어서, 상기 산화인듐층은 90% 이상의 영역이 결정화된 것을 특징으로 하는, 금속산화물 이종 접합 구조
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제1항 내지 제5항 중 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 계면층은 3nm 이상 5nm 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 이종 접합 구조
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기재 상에 상온(Room Temperature)에서 수행되는 스퍼터링의 방법으로 산화인듐층을 형성하는 단계; 및150℃ 내지 250℃에서 수행되는 진공 증착법을 통해 상기 산화인듐층 상에 산화알루미늄층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화인듐층과 상기 산화알루미늄층 사이에 인듐 이온, 알루미늄 이온 및 산소 이온을 포함하고, 전하의 이동 채널을 제공하는 계면층이 형성되는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 이종 접합 구조의 제조방법
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게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 제어되어 반도체 채널층을 통해 소스 전극의 신호를 드레인 전극으로 전송하는 박막트랜지스터에 있어서, 상기 반도체 채널층은 산화인듐층 및 상기 산화인듐층과 접촉하는 산화알루미늄층을 포함하는 금속산화물 이종 접합 구조를 포함하고, 상기 산화인듐층과 상기 산화알루미늄층 사이에는 인듐 이온, 알루미늄 이온 및 산소 이온을 포함하고, 상기 신호의 이동 채널을 제공하는 계면층이 형성된 것을 특징으로 하는, 박막트랜지스터
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제8항에 있어서, 상기 산화인듐층은 8nm 이상 15nm 이하의 두께를 갖고, 상기 산화알루미늄층은 10nm 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 박막트랜지스터
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제9항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 계면층과 접촉하고 서로 이격되게 배치된 것을 특징으로 하는, 박막트랜지스터
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제9항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 산화알루미늄층 상부에 위치하고, 상기 산화알루미늄층은 상기 계면층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 것을 특징으로 하는, 박막트랜지스터
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