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제1 전극; 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 선택 소자층을 포함하며, 상기 선택 소자층은 MaXbYc 조성의 칼코지나이드 화합물(이때, M은 전도성 원소, X는 14족 원소, Y는 16족 원소, 0003c#a003c#1, 0003c#b003c#1, 0003c#c003c#1)을 포함하는, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 전도성 원소는,구리(Cu), 은(Ag) 및 리튬(Li)을 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상인, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 X는 규소(Si), 저마늄(Ge), 주석(Sn) 및 납(Pb)을 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상인, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 Y는 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상인, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 a는 35at% 이상 47at% 이하인, 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 b는 10at% 이상 23at% 이하인, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 c는 32at% 이상 50at% 이하인, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 선택 소자층은, 갈륨(Ga), (Bi), 비소(As), 인듐(In), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 알루미늄(Al) 및 요오드(I)를 포함하는 군에서 선택되는 중 하나 이상을 포함하는 도펀트를 더 포함하는, 메모리 소자
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제8항에 있어서, 상기 도펀트는 0at% 초과 10at% 이하로 포함되는, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상은 비활성 전도성 물질을 포함하는, 메모리 소자
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제10항에 있어서, 상기 비활성 전도성 물질은 백금(Pt) 또는 텅스텐(W)을 포함하는, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 칼코지나이드 화합물의 두께는 20nm 이상 100nm 이하인, 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 선택 소자층 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 비휘발성 메모리층을 더 포함하는, 메모리 소자
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제13항에 있어서, 상기 선택 소자층과 상기 비휘발성 메모리층 사이에 위치하는 금속층을 더 포함하는, 메모리 소자
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제14항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 0 초과 100nm 이하인, 메모리 소자
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