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제1 전극; 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 선택 소자층을 포함하며, 상기 선택 소자층은 Li1-aMX2(이때, 0≤a003c#1, M은 금속, X는 O, S 및 Se 중 어느 하나)인, 저항 변화형 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속은,알루미늄(Al), 붕소(B), 코발트(Co), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 전이금속을 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상인, 저항 변화형 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상은, 백금(Pt) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상으로 이루어지는, 저항 변화형 메모리 소자
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4
제1항에 있어서, 상기 선택 소자를 포함하는 저항 변화형 메모리 소자는 기판 상에 위치하며, 상기 기판과 상기 제1 전극은 접촉하도록 배치되는, 저항 변화형 메모리 소자
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제4항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인, 저항 변화형 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 선택 소자층의 일부는 결정구조를 가지며, 다른 일부는 비정질 형태로 존재하는, 저항 변화형 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 선택 소자층의 두께는 2nm 이상 300nm 이하인, 저항 변화형 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 선택 소자층은 전이금속층을 포함하는 산화막(oxide) 또는 칼코지나이드(chalcogenide)계 물질 중 하나 이상을 더 포함하는, 저항 변화형 메모리 소자
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9
제1 전극; 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 선택 소자층을 포함하며, 상기 선택 소자층은 Li1-aMPO4(이때, 0≤a003c#1, M은 금속)인, 저항 변화형 메모리 소자
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10
제9항에 있어서, 상기 금속은, 알루미늄(Al), 코발트(Co), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 전이금속을 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상인, 저항 변화형 메모리 소자
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11
제9항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상은, 백금(Pt) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상으로 이루어지는, 저항 변화형 메모리 소자
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12
제9항에 있어서,상기 저항 변화형 메모리 소자는 기판 상에 위치하며, 상기 기판과 상기 제1 전극은 접촉하도록 배치되는, 저항 변화형 메모리 소자
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13
제12항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인, 저항 변화형 메모리 소자
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제9항에 있어서, 상기 선택 소자층의 일부는 결정구조를 가지며, 다른 일부는 비정질 형태로 존재하는, 저항 변화형 메모리 소자
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제9항에 있어서,상기 선택 소자층의 두께는 2nm 이상 300nm 이하인, 저항 변화형 메모리 소자
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제9항에 있어서,상기 선택 소자층은 금속층을 포함하는 산화막 또는 칼코지나이드(chalcogenide)계 물질 중 하나 이상을 더 포함하는, 저항 변화형 메모리 소자
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제1 전극; 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 선택 소자층을 포함하며, 상기 선택 소자층은 Li1+aYaZ2-a(PO4)3(이때, 0003c#a003c#1이며, Y는 3가 원소, Z는 4가 원소인, 저항 변화형 메모리 소자
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제17항에 있어서, 상기 Y는, 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 하나 이상인, 저항 변화형 메모리 소자
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제17항에 있어서, 상기 Z는, 규소(Si), 저마늄(Ge), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf) 중 하나 이상인, 저항 변화형 메모리 소자
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20
제17항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상은, 백금(Pt) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상으로 이루어지는, 저항 변화형 메모리 소자
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제17항에 있어서, 상기 저항 변화형 메모리 소자는 기판 상에 위치하며, 상기 기판과 상기 제1 전극은 접촉하도록 배치되는, 저항 변화형 메모리 소자
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제21항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인, 저항 변화형 메모리 소자
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제17항에 있어서, 상기 선택 소자층의 일부는 결정구조를 가지며, 다른 일부는 비정질 형태로 존재하는, 저항 변화형 메모리 소자
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제17항에 있어서,상기 선택 소자층의 두께는 2nm 이상 300nm 이하인, 저항 변화형 메모리 소자
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제17항에 있어서,상기 선택 소자층은 금속층을 포함하는 산화막 또는 칼코지나이드(chalcogenide)계 물질 중 하나 이상을 더 포함하는, 저항 변화형 메모리 소자
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