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일면이 개방된 하우징;상기 하우징의 내부 하단에 위치하는 발광부재; 및상기 발광부재와 이격되어 마주하며, 상기 하우징의 상단을 덮는 색변환필터를 포함하며,상기 색변환필터는 광흡수 물질로서 네오디뮴 화합물이 함유된 유리 조성물을 이용하고,하기 관계식 1을 만족하는 제1 파장의 광은 흡수되고, 하기 관계식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드:[관계식 1]560 nm ≤ λ1 ≤ 620 nm[상기 관계식 1에서 λ1 은 상기 제1 파장의 범주이다
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제 1항에 있어서,상기 유리 조성물은 모유리를 포함하며,상기 모유리는 실리케이트계 조성물, 보로실리케이트계 조성물, 보레이트계 조성물, 및 포스페이트계 조성물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 4항에 있어서,상기 모유리는 SiO2 20 내지 50 mol%, B2O3 20 내지 50 mol%, RO 30 내지 45 mol%를 포함하며,상기 RO는 Ba 산화물 및 Zn 산화물 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 5항에 있어서,상기 Zn 산화물에 대한 Ba 산화물의 몰비는 Zn 산화물:Ba 산화물 = 1:0
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제 4항에 있어서,상기 유리 조성물은 무기첨가제를 더 포함하며,상기 무기첨가제는 Li2O, Na2O, K2O, MgO, CaO, SrO, Y2O3, Al2O3, Ga2O3, In2O3, GeO2, WO3 및 La2O3으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 7항에 있어서,상기 무기첨가제는 상기 유리 조성물 전체 mol% 대비 0 초과 5 mol% 이하인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 네오디뮴 화합물의 함량은 상기 유리 조성물 전체 mol% 대비 0 초과 5 mol% 이하인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 색변환필터는 하기 관계식 3을 만족하는 제3 파장은 투과되는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드:[관계식 3]400 nm ≤ λ3 ≤ 500 nm[상기 관계식 3에서 λ3 은 상기 제3 파장의 범주이다
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제 1항에 있어서,상기 발광부재는 LED칩, 및 상기 LED칩을 덮는 형광부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 11항에 있어서,상기 형광부재는 형광체와 상기 형광체를 담지하는 담지체로 구성되며, 상기 담지체는 투명한 유리, 또는 투명하며 점도가 있는 레진이거나 실리콘계 수지이며,상기 형광체는 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 실리케이트계 형광체, 나이트라이드계 형광체, 플로라이드계 형광체, 황화물계 형광체, 옥시나이트라이드계 형광체, 옥시플로라이드계 형광체 및 옥시설파이드계 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 색변환필터는 50 내지 1000 μm의 두께인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 1항에 따른 백색 발광다이오드를 포함하는 백라이트 유닛
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