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전계효과 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018007055
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 상에 에피층을 적층하는 것, 상기 에피층 상에 상호 이격되는 소스/드레인 전극들을 형성하는 것, 상기 에피층 및 상기 소스/드레인 전극들을 덮는 제 1 절연층을 형성하는 것, 상기 제 1 절연층 상에 상기 소스/드레인 전극들 사이에 배치되도록 희생층을 형성하는 것, 상기 제 1 절연층 및 상기 희생층을 관통하여 상기 에피층과 접하는 게이트 전극을 형성하는 것, 상기 제 1 절연층, 상기 희생층 및 상기 게이트 전극을 덮는 제 2 절연층을 형성하는 것, 및 상기 희생층을 선택적으로 제거하여 공극을 형성하는 것을 포함하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법을 제공하되, 상기 공극은 상기 제 1 절연층, 상기 제 2 절연층 및 상기 게이트 전극에 의해 둘러싸일 수 있다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/43 (2006.01.01) H01L 29/737 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170034911 (2017.03.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0059330 (2018.06.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160157750   |   2016.11.24
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종민 대한민국 대전시 유성구
2 강동민 대한민국 대전광역시 유성구
3 김동영 대한민국 대전시 유성구
4 김성일 대한민국 대전시 유성구
5 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
6 도재원 대한민국 대전광역시 유성구
7 민병규 대한민국 세종특별자치시
8 신민정 대한민국 대전광역시 유성구
9 안호균 대한민국 대전광역시 유성구
10 윤형섭 대한민국 대전시 유성구
11 이상흥 대한민국 대전시 서구
12 임종원 대한민국 대전 서구
13 장성재 대한민국 대전광역시 유성구
14 장우진 대한민국 대전시 서구
15 장유진 대한민국 대전광역시 유성구
16 정현욱 대한민국 대전광역시 유성구
17 조규준 대한민국 대전광역시 유성구
18 지홍구 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0275754-68
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0249195-84
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0249196-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.11.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
기판 상에 버퍼층 및 배리어층을 적층하는 것;상기 배리어층 상에 상호 이격되는 소스/드레인 전극들을 형성하는 것;상기 배리어층 및 상기 소스/드레인 전극들을 덮는 제 1 절연층을 형성하는 것;상기 제 1 절연층 상에, 상기 소스/드레인 전극들 사이에 배치되도록 희생층을 형성하는 것;상기 제 1 절연층 및 상기 희생층을 관통하여 상기 배리어층과 접하는 게이트 전극을 형성하는 것;상기 제 1 절연층, 상기 희생층 및 상기 게이트 전극을 덮는 제 2 절연층을 형성하는 것; 및상기 희생층을 선택적으로 제거하여 공극을 형성하는 것을 포함하되,상기 공극은 상기 제 1 절연층, 상기 제 2 절연층 및 상기 게이트 전극에 의해 둘러싸이는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.