1 |
1
제1 전극;상기 제1 전극의 하면에 위치한 전도성 고분자층;상기 전도성 고분자층의 하면에 위치한 젤 타입의 전기화학발광물질;상기 젤 타입의 전기화학발광물질의 하면에 위치한 전도성 고분자층; 및 상기 전도성 고분자층의 하면에 위치한 제2 전극을 포함하는,발광 기능 및 에너지 충,방전 기능을 하는 다기능 전기화학장치
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 젤 타입의 전기화학발광물질은 네트워크 형성 고분자;이온성 액체; 및금속 착물 발광단(metal complex luminophore)을 포함하고,상기 네트워크 형성 고분자는 상기 이온성 액체에 용해되어 경화 시 전기화학발광물질을 반고체의 상태의 젤 타입으로 형성하는 다기능 전기화학장치
|
3 |
3
제2항에 있어서,상기 네트워크 형성 고분자는 폴리스티렌(polystyrene, PS)계, 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA)계, 폴리부텐(polybutene, PB)계 코폴리머(co-polymer) 및 블록코폴리머(block co-polymer) 중 1 이상을 포함하는 다기능 전기화학장치
|
4 |
4
제2항에 있어서,상기 이온성 액체가 1-에틸-3-메틸이미다조리움 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드)(1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide)인 다기능 전기화학장치
|
5 |
5
제2항에 있어서,상기 금속 착물 발광단(metal complex luminophore)이 Ru(bpy)3Cl2인 다기능 전기화학장치
|
6 |
6
제2항에 있어서,상기 전극은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), ITO(indium tin oxide) 또는 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜):폴리(스티렌 설포네이트)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate, PEDOT:PSS) 중 하나 이상으로 형성된 다기능 전기화학장치
|
7 |
7
제2항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜):폴리(스티렌 설포네이트)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate, PEDOT:PSS) 인 다기능 전기화학장치
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 교류를 인가하면 발광하는 다기능 전기화학장치
|
9 |
9
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 붉은색 내지 주황색으로 발광하는 다기능 전기화학장치
|
10 |
10
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 600nm 내지 700nm의 파장에서 발광하는 다기능 전기화학장치
|
11 |
11
제1항에 있어서상기 다기능 전기화학장치는 4V의 전압에서 20 내지 30cd/m2의 휘도를 가지는 다기능 전기화학장치
|
12 |
12
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 반지름 r을 2
|
13 |
13
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 직류에서 에너지를 충전 및 방전하는 다기능 전기화학장치
|
14 |
14
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 0
|
15 |
15
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 주사속도가 100mV/s인 경우 ±60㎂의 전류를 포함하는 다기능 전기화학장치
|
16 |
16
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 전류가 높을수록 빠른 시간 내에 특정 전압에 도달할 수 있는 다기능 전기화학장치
|
17 |
17
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 저장용량(capacitance retention)이 80% 이상인 다기능 전기화학장치
|
18 |
18
제1항에 있어서,상기 다기능 전기화학장치는 굽힘반지름 r이 커질수록 굽힘응력(bending strain)에 대한 정전용량 변화율이 작아지는 다기능 전기화학장치
|
19 |
19
제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 다기능 전기화학장치를 포함하는 물품
|
20 |
20
제19항에 있어서,다기능 전기화학장치가 사용되는 센서, 충전기, 태양전지 또는 표시장치인 물품
|
21 |
21
제1 전극을 형성하는 단계;제1 전극 상에 전도성 고분자층을 형성하는 단계;상기 전도성 고분자층 상에 네트워크 형성 고분자, 이온성 액체 및 금속 착물 발광단을 포함하는 전기화학발광물질을 코팅하는 단계;상기 전기화학발광물질을 반고체 상태의 젤(Gel)로 경화하는 단계;상기 젤(Gel) 상에 전도성 고분자층을 형성하는 단계; 및상기 전도성 고분자층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 다기능 전기화학장치의 제조방법
|
22 |
22
제21항에 있어서,상기 전도성 고분자 상에 혼합 고분자 용액을 코팅하는 단계는 캐스팅(casting), 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅(spray coating), 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 또는 슬롯-다이 코팅(slot-die coating) 를 이용하는 다기능 전기화학장치의 제조방법
|
23 |
23
제21항에 있어서,제1전극을 형성하는 단계 후에 표면처리하는 단계를 더 포함하는 다기능 전기화학장치의 제조방법
|
24 |
24
제23항에 있어서,상기 표면처리 단계는 UV-ozone 처리인 다기능 전기화학장치의 제조방법
|