| 1 |
1
펄스 방사선의 입사에 따라 발생된 광전류를 전압으로 변환한 신호를 출력하기 위한 센서부;상기 센서부로부터 출력된 신호의 전압과 문턱 전압을 비교함에 따라 논리소자의 스위칭을 통해 검출신호의 상태를 변경하여 출력하고, 상기 검출신호의 피드백에 따라 상기 검출신호의 상태를 복구하기 위한 타이머부; 및상기 타이머부에 대한 상기 검출신호의 피드백 루프를 형성하기 위한 피드백부;를 포함하고,상기 타이머부는,상기 센서부로부터 출력된 신호와 상기 피드백부로부터 출력된 신호를 입력받아 NMOS 및 PMOS 스위칭 네트워크 각각의 스위칭을 통해 상기 검출신호의 상태를 변경하여 출력하는 NOR 게이트;를 포함하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 센서부는, 포토 다이오드를 이용하여 펄스 방사선의 입사에 따라 발생된 광전류를 전압으로 변환하는 것을 특징으로 하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 센서부는, 문턱 전압 레벨을 조정하기 위한 커패시터와 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 NOR 게이트는,상기 NMOS 및 PMOS 스위칭 네트워크 각각의 스위칭을 통해 상기 검출신호의 상태를 로우 상태로 변경하여 출력하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 NOR 게이트는,일정시간이 경과한 후, 상기 검출신호의 피드백에 따라 상기 검출신호의 상태를 하이 상태로 복구하여 출력하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 NOR 게이트의 NMOS 스위칭 네트워크는, 제1 및 제2 NMOS를 포함하며, 상기 검출신호의 동작속도는 상기 제1 및 제2 NMOS의 W/L 비율(여기서, W는 게이트 폭, L은 게이트 길이)에 따라 변경되는 것을 특징으로 하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 타이머부는,상기 NOR 게이트의 출력단에 짝수 개의 인버터 게이트를 연속적으로 연결하여 인버터 버퍼 구조를 형성하는 버퍼 게이트;를 더 포함하고,상기 인버터 게이트 각각은, 하나의 PMOS와 하나의 NMOS를 서로 직렬로 연결하여 구성하는 것인 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 타이머부는,상기 버퍼 게이트의 출력단 이후에, 상기 검출신호의 검출시간 조절을 위한 고정 커패시터와 가변 저항을 포함하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 피드백부는, 인버터 게이트를 포함하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 장치
|
| 11 |
11
펄스 방사선의 입사에 따라 발생된 광전류를 전압으로 변환한 신호를 출력하는 단계;상기 출력된 신호의 전압과 문턱 전압을 비교함에 따라 논리소자의 스위칭을 통해 검출신호의 상태를 변환하여 출력하는 단계; 및일정시간이 경과한 후, 상기 검출신호의 피드백에 따라 상기 논리소자의 스위칭을 통해 상기 검출신호의 상태를 복구하여 출력하는 단계;를 포함하고,상기 검출신호의 상태를 변환하여 출력하는 단계는,상기 광전류를 전압으로 변환해 출력된 신호와 상기 검출신호의 피드백 루프를 통해 출력된 신호를 입력받아 NMOS 및 PMOS 스위칭 네트워크 각각의 스위칭을 통해 상기 검출신호의 상태를 변경하여 출력하는 NOR 게이트를 이용하는 것인 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 검출신호 상태 변환 단계는,상기 출력된 신호의 전압이 문턱 전압을 초과하면, 상기 검출신호를 로우 상태로 변환하여 출력하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 방법
|
| 13 |
13
제 11 항에 있어서,상기 검출신호 상태 복구 단계는,일정시간이 경과한 후, 상기 검출신호를 하이 상태로 복구하여 출력하는 것을 특징으로 하는 논리소자를 이용한 고속 핵폭발 검출 방법
|
