1 |
1
삭제
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
기판; 및상기 기판에 형성되고, 제 1 방향으로 서로 평행하게 형성된 복수의 제 1 접촉 전극 및 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 서로 평행하게 형성된 복수의 제 2 접촉 전극에 의해서 인접하는 발광 소자들과 서로 연결되는 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 소자 어레이;를 포함하고,상기 복수의 발광소자 사이를 채우는 동시에 상기 복수의 발광소자를 덮도록 저항변화 물질로 패시베이션이 형성되고, 상기 발광소자 상부에 형성된 상기 패시베이션 물질 위에 상기 제 2 접촉 전극이 형성되며, 상기 제 2 접촉 전극과 상기 발광 소자 사이에 형성되는 패시베이션의 스위칭 영역이 스위치 온 상태에서, 자신에게 연결된 제 1 접촉 전극과 제 2 접촉 전극간의 전위차에 따라서 턴온되어 빛을 발생시키며,상기 패시베이션의 스위칭 영역에는 상기 발광 소자의 상면이 노출되도록 하는 홀이 형성되고, 상기 홀을 통해 노출된 발광 소자의 상면과 상기 스위칭 영역에 전압을 인가하여 상기 스위칭 영역에 electro-forming 공정이 수행되어 전도성 필라멘트가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치
|
7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 복수의 발광 소자 각각은상기 기판에 형성된 제 1 반도체층;상기 제 1 반도체층에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 제 2 반도체층;상기 제 1 반도체층 위에 형성된 상기 제 1 접촉 전극; 상기 제 2 반도체층 위에 형성된 투명 전극층; 및상기 투명 전극층 위에 패시베이션 물질로 형성된 스위칭 영역 위에 형성된 상기 제 2 접촉 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치
|
8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 반도체층은 n-type으로 도핑되고, 상기 제 2 반도체층은 p-type 으로 도핑된 반도체층인 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치
|
9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 스위칭 영역은 저항 변화 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압이 인가되면 내부에 전도성 필라멘트가 형성되어 상기 저항 변화 물질의 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어 스위치 온 상태가 유지되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치
|
10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 접촉 전극과 상기 제 2 접촉 전극 간에 인가되는 전압에 따라서 상기 스위칭 영역은 내부에 전도성 필라멘트가 형성되어 스위치 온되거나, 내부에 형성되었던 전도성 필라멘트가 소멸되어 스위치 오프 되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치
|
11 |
11
삭제
|
12 |
12
삭제
|
13 |
13
삭제
|
14 |
14
삭제
|
15 |
15
삭제
|
16 |
16
삭제
|
17 |
17
삭제
|
18 |
18
삭제
|
19 |
19
삭제
|
20 |
20
삭제
|
21 |
21
(a) 기판 위에 제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 복수의 발광 소자들이 분리되고, 각 발광 소자의 제 1 반도체층의 일부 영역이 외부로 노출되도록, 상기 제 1 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제 2 반도체층을 식각하는 단계;(c) 상기 복수의 발광 소자들의 외부로 노출된 제 1 반도체층에 제 1 접촉 전극을 형성하고, 상기 제 2 반도체층 위에 투명 전극층을 형성하는 단계;(d) 저항 변화 물질로 상기 발광 소자들 사이가 채워지는 동시에 상기 복수의 발광 소자 각각에 투명 전극층이 덮이도록 패시베이션을 형성하는 단계; (e) 상기 패시베이션 중 상기 투명 전극층 위에 형성된 스위칭 영역에 electro-forming 공정을 수행하는 단계; 및(f) 상기 스위칭 영역 위에 제 2 접촉 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (d) 단계에서, 상기 투명 전극층의 일부 영역이 노출되는 홀이 형성되도록 패시베이션이 수행되고,상기 (e) 단계에서, 상기 홀을 통해 노출된 투명 전극층과 상기 스위칭 영역에 전압을 인가하여 상기 스위칭 영역에 electro-forming 공정을 수행하여 전도성 필라멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치 제조 방법
|
22 |
22
삭제
|
23 |
23
제 21 항에 있어서,상기 제 1 접촉 전극은 제 1 방향으로 인접한 발광 소자의 제 1 접촉 전극과 연결되도록 형성되고,상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 형성된 제 2 접촉 전극은 제 2 방향으로 인접한 발광 소자의 제 2 접촉 전극과 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치 제조 방법
|
24 |
24
제 23 항에 있어서,상기 스위칭 영역은 저항 변화 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압이 인가되면 내부에 전도성 필라멘트가 형성되어 상기 저항 변화 물질의 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어 스위치 온 상태가 유지되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치 제조 방법
|
25 |
25
제 24 항에 있어서, 상기 제 1 접촉 전극과 상기 제 2 접촉 전극 간에 인가되는 전압에 따라서 스위칭 소자는 내부에 전도성 필라멘트가 형성되어 스위치 온되거나, 내부에 형성되었던 전도성 필라멘트가 소멸되어 스위치 오프되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이 장치 제조 방법
|
26 |
26
삭제
|
27 |
27
삭제
|
28 |
28
삭제
|
29 |
29
삭제
|
30 |
30
삭제
|