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혼성 투명전극을 포함하는 LED 소자

  • 기술번호 : KST2018007363
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 혼성 투명전극으로, 상호 이격된 복수개의 단위 ITO전극으로 이루어진 ITO 아일랜드; 상기 ITO 아일랜드를 도포하는 ZAZ층을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼성 투명전극이 제공된다.
Int. CL H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020160160027 (2016.11.29)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0060491 (2018.06.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오문식 대한민국 전라북도 군산시 삼화길 ** (
2 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1167538-46
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0724170-61
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1248643-00
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1248642-54
5 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2017.12.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-1275605-08
6 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2017.12.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-1275604-52
7 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2017.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0187562-05
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0017233-36
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0020067-24
10 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2018.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0128260-46
11 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0023519-85
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0105500-73
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.03.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0259456-26
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0259455-81
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0207704-49
16 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2018.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0303180-08
17 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2018.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0303181-43
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0303179-51
19 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0380682-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
혼성 투명전극을 포함하는 LED 소자로서,기판;상기 기판 상에 순차적으로 적층된 n-GaN층; 양자우물층; 및 pGaN층을 포함하며, 상기 혼성 투명전극은 상기 pGaN층 상에 적층되며,상기 혼성 투명전극 상에 n-전극인 Ti/Au 전극층이 적층되며,상기 혼성 투명전극은,상호 이격된 복수개의 단위 ITO전극으로 이루어진 ITO 아일랜드; 및상기 ITO 아일랜드를 도포하여 상기 ITO 아일랜드를 매몰시키는 ZAZ층을 포함하며,상기 ZAZ층은 Sn-도핑ZnO/Ag/Sn-도핑ZnO의 다중층이고, 상기 ITO 아일랜드의 두께는 70 내지 150 nm이고, 5 ㎛ 크기의 지름 및 5 x 5 ㎛2의 면적을 갖는 낮은 원통형 모양을 가지며, ITO 아일랜드 사이 간격 거리는 20 ㎛ 이고, 전체 투명전극 면적에서 2 내지 3%에 해당하는 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 혼성 투명전극을 포함하는 LED 소자
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삭제
3 3
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4 4
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5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 전북대학교 산학협력단 수송기기 특화조명 핵심기술개발 전문인력양성사업 수송기기 특화조명용 LED융합부품소재 핵심기술개발 전문인력양성
2 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 신진연구지원사업(후속지원) 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가 연구