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태양전지의 전극형성방법

  • 기술번호 : KST2018007431
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지의 전극 형성 방법에 관한 것으로, 레진층에 임프린팅 방식의 전극패턴 형성공정을 통해 실리콘 태양전지의 전극의 형성을 30㎛이하의 구조에서 고도의 종횡비(Aspect ratio)를 구비하여, 전극의 면적을 줄이면서 높이를 크게 하여 낮은 저항과 표면에서의 수광면적을 증가시켜 효율향상을 증대시킬 수 있는 기술을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020180057543 (2018.05.21)
출원인 한국교통대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2016855-0000 (2019.08.26)
공개번호/일자 10-2018-0061102 (2018.06.07) 문서열기
공고번호/일자 (20191021) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0022348 (2013.02.28)
관련 출원번호 1020130022348
심사청구여부/일자 Y (2018.05.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임동건 충청북도 충주시 금봉*길 **
2 박정은 충북 충주시
3 박상용 경북 영덕군
4 강상묵 경북 구미시
5 박정훈 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0495227-57
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0871480-58
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0176656-16
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0282533-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0282534-64
6 등록결정서
Decision to grant		 2019.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0460518-11
7 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5029987-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2020-5039896-32
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번호 청구항
1 1
에칭을 이용하여 실리콘 반도체 기판의 표면에 요철면을 형성한 후에 상기 표면 상에 레진층을 형성하는 1단계;상기 레진층 상에 전극형성틀을 가압하여 레진층을 패터닝하는 2단계;상기 패터닝된 레진층 상에 전극물질층을 형성하는 3단계; 및상기 레진층을 제거하여 전극을 형성하는 4단계;를 포함하며,상기 2단계는 금형에 전극패턴에 대응되는 요철패턴을 구비한 상기 전극형성틀을 가압하여 전극형성부위의 레진물질을 제거하고, 여기서 상기 요철패턴의 깊이는 상기 레진층의 두께 이하로 형성되고 상기 전극형성부위의 레진은 상기 요철패턴의 가압으로 인해 밀려 제거되며,상기 3단계는, 전기도금(electroplating), 무전해도금(electroless plating) 또는 도전성페이스트의 인쇄법 중 어느 하나를 적용하여 상기 패터닝된 레진층의 높이 이상으로 상기 전극물질층을 형성하고, 여기서 상기 전극물질층은 Au, Pt, Pd, Ru, Ni, Cu, Sn, In, Zn, Fe, Cr, Co, Ti, Ag 및 Mn으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합 조성 또는 합금 조성으로 이루어지고 30㎛ 이하의 폭을 가지는 전극 패턴을 포함하며, 상기 4단계는, 상기 레진층 상의 오목패턴에 충진된 전극물질을 남기고 상기 전극물질층을 제거한 후, 상기 오목패턴을 구성하는 잔류 레진층을 제거하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성 방법
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1 KR102016767 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 한국교통대학교 교육인력양성사업/지역혁신창의인력양성 CIGS 박막 태양전지용 CVD-grown 전구체 및 공정 기술 개발
2 산업통상부 한국기계연구원부설 재료연구소 산업기술혁신사업(에너지기술개발사업) 전기화학공정 및 레이저를 이용한 초박형 (두께 50㎛이하)kerfless 실리콘 웨이퍼링 및 핸들링 기술 개발