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기판의 제 1 면 상에 중간 층을 형성하는 단계;상기 중간 층 상에 시드 패턴들을 형성하는 단계;상기 시드 패턴들 상에 방열 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 기판의 상기 제 1 면과 다른 제 2 면 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 시드 패턴들을 형성하는 단계는:상기 중간 층 상에 시드 층을 형성하는 단계; 및상기 시드 층을 패터닝 하여 상기 시드 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 시드 층은 나노 결정 다이아몬드 입자들을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 시드 패턴들은 상기 시드 층의 레이저 에칭 방법에 의해 패터닝되는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 방열 패턴들은 결정 다이아몬드를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 시드 패턴들과 상기 방열 패턴들은 변의 길이가 1nm이상이고 5mm이하인 정사각형의 모양으로 형성되는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 중간 층은 실리콘 질화물을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 상기 제 2 면을 연마하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 트랜지스터를 형성하는 단계는:상기 기판의 상기 제 2 면 상에 활성 층을 형성하는 단계; 및상기 활성 층 상에 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 활성 층의 일부 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 전극들 중 적어도 하나는 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 반도체 소자의 제조방법
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