| 1 |
1
금속 나노클러스터 전구체를 형성하는 단계;상기 금속 나노클러스터 전구체를 이용하여 산화물 용액을 형성하는 단계;상기 금속 나노클러스터 전구체가 포함된 산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계; 및불활성 가스 분위기 하에서 상기 코팅된 산화물 용액에 자외선을 조사하여 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 나노클러스터 전구체는 케긴(Keggin) 구조를 가지고,상기 금속 나노클러스터 전구체를 형성하는 금속은 알루미늄, 갈륨, 아연, 타이타늄, 지르코늄, 인듐 또는 이의 유도체이고,상기 산화물 박막을 형성하는 단계는 60℃ 이하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 극저온 공정을 이용한 산화물 박막의 용액형 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터 전구체는 미리 반응되어 생성된 금속-산소-금속(Metal-Oxygen-Metal, M-O-M) 결합들을 포함하는 것을 특징으로 하는 극저온 공정을 이용한 산화물 박막의 용액형 제조 방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터 전구체는 케긴 구조를 가지는 (AlO4Al12(OH)24(H2O)12)7+인 것을 특징으로 하는 극저온 공정을 이용한 산화물 박막의 용액형 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 산화물 용액은 상기 금속 나노클러스터 전구체와 용매를 포함하되,상기 용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 부탄올 또는 2-메톡시에탄올을 포함하는 것을 특징으로 하는 극저온 공정을 이용한 산화물 박막의 용액형 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터 전구체가 포함된 산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계는,스핀 코팅(Spin coating), 딥코팅(Dip coating), 스프레이 코팅(Spray coating), 트랜스퍼 프린팅(Transfer printing)
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 자외선의 파장은 180nm 내지 260nm인 것을 특징으로 하는 극저온 공정을 이용한 산화물 박막의 용액형 제조 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 자외선 조사의 유지 시간은 110분 내지 130분인 것을 특징으로 하는 극저온 공정을 이용한 산화물 박막의 용액형 제조 방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 산화물 박막을 형성한 후 후처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하며,상기 후처리 공정은 열처리, 마이크로웨이브 처리 또는 플래쉬 램프 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 극저온 공정을 이용한 산화물 박막의 용액형 제조 방법
|
| 14 |
14
제1항, 제2항 및 제6항 내지 제8항 및 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 산화물 박막의 용액형 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
|
| 15 |
15
기판;제1항, 제2항 및 제6항 내지 제8항 및 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 산화물 박막의 용액형 제조 방법에 의해 제조된 산화물 박막; 및 Au 전극층 또는 IZO 전극층을 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하는 극저온 공정을 이용한 산화물 박막을 포함하는 전자소자
|
