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기판; 상기 기판 상에 형성된 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩을 둘러싸고, 내측면이 반사면을 이루는 측벽; 상기 측벽 상에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 이격된 파장변환부; 및 상기 발광다이오드 칩과 대응되도록 상기 파장변환부 하부에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 이격된 복수 개의 반사부를 포함하고, 상기 파장변환부는 파장변환물질, 바인더 및 열전도율 향상 물질을 더 포함하며, 상기 파장변환물질은 열전도율을 향상시키기 위해 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및 알루미네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 열전도율 향상 물질은 TiO2, SiO2, Al2O3 및 ZrO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 세라믹 계열의 필러(Filler) 물질로 형성되어 색 좌표의 변화 없이 열전도율을 향상시키며,상기 복수 개의 반사부는 사각형, 삼각형, 역삼각형 및 반원형 중 적어도 하나의 형상으로 형성되고, 상기 파장변환부 면적 대비 1% 내지 30%의 면적을 갖도록 형성되어 상기 발광다이오드 칩에서 상기 파장변환부의 중심부로 직접 입사되는 일차 청색광의 흡수를 낮추는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제1항에 있어서, 상기 복수 개의 반사부는 반사물질을 포함하는 실리콘, 이엠씨(EMC), 피피에이(PPA) 수지 및 피씨티(PCT) 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제4항에 있어서, 상기 반사물질은 TiO2, BaSO4 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제1항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩은 InGaN 또는 InAlGaN의 질화물계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제1항에 있어서, 상기 바인더는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩 상에 형성된 복수 개의 반사부; 및 상기 발광다이오드 칩을 둘러싸도록 형성된 파장변환부를 포함하고, 상기 파장변환부는 파장변환물질, 바인더 및 열전도율 향상 물질을 더 포함하며,상기 파장변환물질은 열전도율을 향상시키기 위해 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및 알루미네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 열전도율 향상 물질은 TiO2, SiO2, Al2O3 및 ZrO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 세라믹 계열의 필러(Filler) 물질로 형성되어 색 좌표의 변화 없이 열전도율을 향상시키며,상기 복수 개의 반사부는 사각형, 삼각형, 역삼각형 및 반원형 중 적어도 하나의 형상으로 형성되고, 상기 파장변환부 면적 대비 1% 내지 30%의 면적을 갖도록 형성되어 상기 발광다이오드 칩에서 상기 파장변환부의 중심부로 직접 입사되는 일차 청색광의 흡수를 낮추는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제12항에 있어서, 상기 복수 개의 반사부는 반사물질을 포함하는 실리콘, 이엠씨(EMC), 피피에이(PPA) 수지 및 피씨티(PCT) 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제15항에 있어서, 상기 반사물질은 TiO2, BaSO4 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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내측면이 반사면을 이루는 측벽이 결합된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 발광다이오드 칩을 실장하는 단계; 파장변환부 하부에 복수 개의 반사부를 형성하는 단계; 및 상기 측벽 상에 상기 발광다이오드 칩과 이격되도록 상기 파장변환부를 결합하는 단계를 포함하고, 상기 파장변환부는 파장변환물질, 바인더 및 열전도율 향상 물질을 더 포함하며, 상기 파장변환물질은 열전도율을 향상시키기 위해 가넷, 실리케이트, 황화물, 산질화물, 질화물 및 알루미네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 열전도율 향상 물질은 TiO2, SiO2, Al2O3 및 ZrO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 세라믹 계열의 필러(Filler) 물질로 형성되어 색 좌표의 변화 없이 열전도율을 향상시키며,상기 복수 개의 반사부는 사각형, 삼각형, 역삼각형 및 반원형 중 적어도 하나의 형상으로 형성되고, 상기 파장변환부 면적 대비 1% 내지 30%의 면적을 갖도록 형성되어 상기 발광다이오드 칩에서 상기 파장변환부의 중심부로 직접 입사되는 일차 청색광의 흡수를 낮추는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
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