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서로 이격된 캐소드 전극과 아노드 전극;상기 캐소드 전극 상의 에미터;상기 캐소드 전극과 상기 아노드 전극 사이에 위치되고, 상기 에미터와 중첩되는 적어도 하나의 게이트 개구를 갖는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 상에 위치되고, 상기 게이트 개구와 중첩되는 복수의 미세 개구들을 갖는 전자 투과 시트를 포함하는 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 전자 투과 시트는, 적어도 하나의 전자 투과 원자 층을 포함하고, 상기 전자 투과 원자 층은 2차원 물질을 포함하는 전계 방출 장치
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제2항에 있어서, 상기 2차원 물질은 그래핀(Graphene), 이황화몰리브덴(Molybdenum Disulfide, MoS2), 황화텅스텐(Tungsten disulfide, WS2), 질화붕소(hexagonal boron nitride,h-BN), 이텔루리드 몰리브덴(Molybdenum Ditelluride, MoTe2), 및 전이금속칼코젠화합물(Transition Metal Dichalcogenide, TMDC) 중 어느 하나를 포함하는 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 미세 개구들의 각각의 폭은 서로 인접한 상기 미세 개구들 간의 이격 거리보다 작은 큰 전계 방출 장치
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제4항에 있어서,상기 미세 개구들의 각각의 폭은, 0(zero) 초과, 및 상기 게이트 개구의 폭을 3으로 나눈 값 이하인 전계 방출 장치
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제5항에 있어서,상기 미세 개구들의 각각의 폭은, 상기 캐소드 전극과 게이트 전극 간의 이격 거리를 3으로 나눈 값 이하인 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 게이트 개구의 폭은, 상기 에미터의 폭보다 큰 전계 방출 장치
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제1항에 있어서,상기 아노드 전극과 상기 게이트 전극 사이에 위치된 적어도 하나의 집속 전극을 더 포함하고, 상기 집속 전극은 상기 게이트 개구와 수직하게 중첩되는 집속 전극 개구를 포함하는 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 에미터는, 상기 아노드 전극에 대향된 상기 캐소드 전극의 일면 상에 위치되는 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 아노드 전극은, 상기 캐소드 전극에 대향된 일면에 타겟을 포함하는 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 캐소드 전극과 대향된 제1 면과, 상기 아노드 전극에 대향된 제2 면을 포함하고,상기 전자 투과 시트는 상기 제1 면 또는 상기 제2 면 상에 위치되는 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극 간의 이격 거리는, 150㎛ 이상 및 500㎛ 이하인 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 미세 개구들 중 적어도 2개는 서로 다른 폭들을 갖는 전계 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 미세 개구의 폭은, 상기 에미터에서 방출된 전자 빔의 궤적이 상기 미세 개구에 따른 전위 분포 왜곡에 의해 실질적으로 왜곡되지 않는 범위 내의 값을 갖는 전계 방출 장치
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