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전자소자가 위치하는 소자영역과 금속배선이 위치하는 신축영역으로 구분되는 신축 가능한 전자회로 제조방법에 있어서,게이트 금속배선과 제1 유연층을 포함하는 상부 전극부와 데이터 금속배선과 제2 유연층을 포함하는 하부 전극부를 제조하는 단계 및상기 하부 전극부 상부에 상부 전극부를 형성하는 단계를 포함하되,수직방향으로 형성된 데이터 금속배선 상부에 수평방향으로 형성된 게이트 금속배선이 형성되어 2차원 금속배선 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 양방향 신축 가능한 전자회로 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 유연층 및 제2 유연층은, 소자영역에서 편평한 형상을 가지고, 신축영역에서 웨이브 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 양방향 신축 가능한 전자회로 제조방법
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제1항에 있어서,상기 상부 전극부 또는 하부 전극부는, 소자영역에서 변형을 억제하거나, 신축을 방지하기 위한 강성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 신축 가능한 전자회로 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전자회로는 전자소자 구조물 어레이 또는 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 신축 가능한 전자회로 제조방법
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제1항에 있어서,상기 상부 전극부 또는 하부 전극부는, 공통배선 또는 전원입력배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 신축 가능한 전자회로 제조방법
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제1항에 있어서,상기 상부 전극부를 제조하는 단계는,상기 소자영역과 신축영역으로 구분된 패턴이 형성된 제1 몰드기판을 준비하는 단계;상기 제1 몰드기판 상부에 제1 희생층을 형성하는 단계;상기 제1 희생층 상부에 게이트 금속배선을 형성하는 단계;상기 게이트 금속배선 상부에 제1 유연층을 형성하는 단계 및상기 제1 희생층을 제거하여 제1 몰드기판을 게이트 금속배선으로부터 분리하는 단계를 포함하고,상기 소자영역에 위치하는 게이트 금속배선은 게이트 전극으로 동작되는 것을 특징으로 하는 양방향 신축 가능한 전자회로 제조방법
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제6항에 있어서,상기 하부 전극부를 제조하는 단계는,상기 제2 몰드기판 상부에 제2 희생층을 형성하는 단계;상기 소자영역에 위치하는 제2 희생층 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상부에 소스 전극과 드레인 전극으로 이루어진 소스-드레인 전극을 형성하는 단계;상기 신축영역에 위치하는 제2 희생층 상부에 데이터 금속배선을 형성하는 단계;상기 소스-드레인 전극과 데이터 금속배선 상부에 제2 유연층을 형성하는 단계 및상기 제2 희생층을 제거하여 제2 몰드기판을 소스-드레인 전극과 데이터 금속배선으로부터 분리하는 단계를 포함하고,상기 데이터 금속배선과 소스-드레인 전극은 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 양방향 신축 가능한 전자회로 제조방법
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전자소자가 위치하는 소자영역과 금속배선이 위치하는 신축영역으로 구분되는 신축 가능한 전자회로에 있어서,데이터 금속배선과 제1 유연층을 포함하는 하부 전극부 및하부 전극부 상부에 형성된 게이트 금속배선과 제2 유연층을 포함하는 상부 전극부를 포함하되,수직방향으로 형성된 데이터 금속배선 상부에 수평방향으로 형성된 게이트 금속배선이 형성되어 2차원 금속배선 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 양방향 신축 가능한 전자회로
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