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기판; 및상기 기판상에 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드(dichalcogenide)층으로 형성되는데, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성되어, 각 전이금속 다이칼코게나이드층별로 각기 다른 파장의 빛을 검출하는 흡수층;을 포함하고,상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지며,각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 서로 이격되어 구비되며, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 구비되는 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서
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기판; 및상기 기판상에 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드(dichalcogenide)층으로 형성되는데, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성되어, 각 전이금속 다이칼코게나이드층별로 각기 다른 파장의 빛을 검출하는 흡수층;을 포함하고,상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지며,각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 서로 연결되어 구비되며, 전체 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 구비되는 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 기판 하부에 구비되는 게이트전극;을 포함하며,백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서
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제 5 항의 다파장 검출 광센서의 제조방법으로써,기판을 준비하는 제1단계; 및상기 기판상에 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드층으로 이루어지는 흡수층을 형성하는데, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성하여, 각 전이금속 다이칼코게나이드층별로 각기 다른 파장의 빛을 검출하도록 하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제2단계는 동일한 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층을 형성한 다음, 상기 기판상으로 이송하는데 서로 다른 두께를 갖도록 적층하여 상기 흡수층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 제2단계에서 상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 보조기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계; 및화학기상증착법(CVD법)을 이용하며, 상기 몰리브덴패턴층으로 황(S)을 유입하여 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제2단계는 서로 다른 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층을 형성한 다음, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 상기 기판상으로 이송하여 상기 흡수층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 제2단계에서 상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 보조기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계; 및화학기상증착법(CVD법)을 이용하며, 상기 몰리브덴패턴층으로 황(S)을 유입하여 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 형성하는데,상기 몰리브덴패턴층의 두께와 유입되는 상기 황(S)의 양을 조절하여 서로 다른 두께의 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제2단계는 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 서로 이격되도록 형성하며, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극을 형성하는 제3단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 기판 하부에 게이트전극을 형성하는 제4단계;를 포함하여 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제2단계는 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층이 서로 연결되도록 형성하며, 전체 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극을 형성하는 제3단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 기판 하부에 게이트전극을 형성하는 제4단계;를 포함하여 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법
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