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(a) 유리 기판 상부면에 투명 전극막을 패터닝하여 투명 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 투명 전극 상부면에 포토 레지스터막을 스핀 코팅하는 단계; (c) 상기 포토 레지스터막을 패터닝하여 양성 뱅크를 복수개 형성하는 단계; (d) 코팅액을 이용하여 상기 복수개의 양성 뱅크를 포함하는 투명 전극 상부에 슬롯 다이 코팅하여 박막을 생성하는 단계; (e) 상기 슬롯 다이 코팅된 박막을 진공 챔버에서 반진공 건조하는 단계; 및(f) 상기 반진공 건조된 박막을 하드 베이킹하여 잔존하는 용매를 제거하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계 이전에 (a-1) 주 용매에 이온성 액체를 소량 혼합하여 조 용매를 제조하는 단계;(a-2) 상기 조 용매에 정공 주입층용 유기물질 및 정공 수송층용 유기물질을 용해하여 상기 코팅액을 제조하는 단계; 및(a-3) 상기 제조된 코팅액을 필터에 통과시켜 필터링하여 상기 코팅액 내 불순물을 제거하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬롯 코팅 기반 유기발광 다이오드 면광원 제조 방법
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(a) 유리 기판 상부면에 투명 전극막을 패터닝하여 투명 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 투명 전극 상부면에 포토 레지스터막을 스핀 코팅하는 단계; (c) 상기 포토 레지스터막을 패터닝하여 양성 뱅크를 복수개 형성하는 단계; (d) 코팅액을 이용하여 상기 복수개의 양성 뱅크를 포함하는 투명 전극 상부에 슬롯 다이 코팅하여 박막을 생성하는 단계; (e) 상기 슬롯 다이 코팅된 박막을 진공 챔버에서 반진공 건조하는 단계; 및(f) 상기 반진공 건조된 박막을 하드 베이킹하여 잔존하는 용매를 제거하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계 이전에 (a-1) 주 용매에 이온성 액체를 소량 혼합하여 조 용매를 제조하는 단계;(a-2) 상기 조 용매에 정공 주입층용 유기물질 및 정공 수송층용 유기물질을 용해하여 상기 코팅액을 제조하는 단계; 및(a-3) 상기 제조된 코팅액을 필터에 통과시켜 필터링하여 상기 코팅액 내 불순물을 제거하는 단계; 를 더 포함하며,상기 주 용매는 벤조산 에틸(ethyl benzoate) 또는 벤조산 메틸(methyl benzoate)을 포함하는 것을 특징으로 하는,슬롯 코팅 기반 유기발광 다이오드 면광원 제조 방법
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(a) 유리 기판 상부면에 투명 전극막을 패터닝하여 투명 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 투명 전극 상부면에 포토 레지스터막을 스핀 코팅하는 단계; (c) 상기 포토 레지스터막을 패터닝하여 양성 뱅크를 복수개 형성하는 단계; (d) 코팅액을 이용하여 상기 복수개의 양성 뱅크를 포함하는 투명 전극 상부에 슬롯 다이 코팅하여 박막을 생성하는 단계; (e) 상기 슬롯 다이 코팅된 박막을 진공 챔버에서 반진공 건조하는 단계; 및(f) 상기 반진공 건조된 박막을 하드 베이킹하여 잔존하는 용매를 제거하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계 이전에 (a-1) 주 용매에 이온성 액체를 소량 혼합하여 조 용매를 제조하는 단계;(a-2) 상기 조 용매에 정공 주입층용 유기물질 및 정공 수송층용 유기물질을 용해하여 상기 코팅액을 제조하는 단계; 및(a-3) 상기 제조된 코팅액을 필터에 통과시켜 필터링하여 상기 코팅액 내 불순물을 제거하는 단계; 를 더 포함하며,상기 (a-3) 단계에서상기 필터링 회수는 3 내지 5회인 것을 특징으로 하는,슬롯 코팅 기반 유기발광 다이오드 면광원 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 포토 레지스터막은 소수성 포토 레지스터 재질인 것을 특징으로 하는,슬롯 코팅 기반 유기발광 다이오드 면광원 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 양성 뱅크는 하부에서 상부로 갈수록 가늘어지는 사다리꼴 형상인 것을 특징으로 하는,슬롯 코팅 기반 유기발광 다이오드 면광원 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (e) 단계에서상기 진공 챔버의 진공도는 10 내지 15 mmHg인 것을 특징으로 하는,슬롯 코팅 기반 유기발광 다이오드 면광원 제조 방법
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(a) 유리 기판 상부면에 투명 전극막을 패터닝하여 투명 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 투명 전극 상부면에 포토 레지스터막을 스핀 코팅하는 단계; (c)상기 포토 레지스터막을 패터닝하여 역 사다리꼴 형상의 음성 뱅크를 복수개 형성하는 단계; (d) 코팅액을 이용하여 상기 복수개의 음성 뱅크를 포함하는 투명 전극 상부에 슬롯 다이 코팅하여 박막을 생성하는 단계; (e) 상기 슬롯 다이 코팅된 박막을 진공 챔버에서 반진공 건조하는 단계; 및(f) 상기 반진공 건조된 박막을 하드 베이킹하여 잔존하는 용매를 제거하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계 이전에 (a-1) 주 용매에 이온성 액체를 소량 혼합하여 조 용매를 제조하는 단계;(a-2) 상기 조 용매에 정공 주입층용 유기물질 및 정공 수송층용 유기물질을 용해하여 상기 코팅액을 제조하는 단계; 및(a-3) 상기 제조된 코팅액을 필터에 통과시켜 필터링하여 상기 코팅액 내 불순물을 제거하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬롯 코팅 기반 유기발광 다이오드 면광원 제조 방법
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(a) 유리 기판 상부면에 투명 전극막을 패터닝하여 투명 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 투명 전극 상부면에 포토 레지스터막을 스핀 코팅하는 단계; (c) 상기 포토 레지스터막을 패터닝하여 양성 뱅크 또는 음성 뱅크를 복수개 형성하는 단계; (d) 코팅액을 이용하여 상기 복수개의 양성 뱅크 또는 음성 뱅크를 포함하는 투명 전극 상부에 슬롯 다이 코팅하여 박막을 생성하는 단계; (e) 상기 슬롯 다이 코팅된 박막을 진공 챔버에서 반진공 건조하는 단계; 및(f) 상기 반진공 건조된 박막을 하드 베이킹하여 잔존하는 용매를 제거하는 단계;를 포함하며,상기 (a) 단계 이전에 (a-1) 주 용매에 이온성 액체를 소량 혼합하여 조 용매를 제조하는 단계;(a-2) 상기 조 용매에 정공 주입층용 유기물질 및 정공 수송층용 유기물질을 용해하여 상기 코팅액을 제조하는 단계; 및(a-3) 상기 제조된 코팅액을 필터에 통과시켜 필터링하여 상기 코팅액 내 불순물을 제거하는 단계; 를 더 포함하고, 상기 투명 전극막은 인듐 주석 산화물 또는 반금속 고농도 전도성 고분자인 것을 특징으로 하는 슬롯 코팅 기반 유기발광 다이오드 면광원 제조 방법
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