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기판(110) 상에 광추출층(120), 상기 광추출층(120) 상에 포토레지스트막(130)를 차례로 형성하고 상기 포토레지스트막(130)을 패터닝하여 주기적인 포토레지스트 패턴(131)을 포함하는 제1 포토레지스트 층(130a)을 형성하는 단계;플라즈마 식각 공정을 사용하여 상기 제1 포토레지스트층(130a)의 표면 모폴로지를 변화시키어 랜덤 요철 구조(132)를 제2 포토레지스트층(130b)에 형성하고 상기 주기적인 포토레지스트 패턴(131)을 식각 마스크로 플라즈마 식각 공정에 의하여 주기적인 광추출 패턴(121)을 구비한 제1 광추출층(120a)을 제공하는 단계;상기 제2 포토레지스트층(130b)의 상기 랜덤 요철 구조(132)를 마스크로 사용하여 상기 제1 광추출층(120a)을 과식각(over-etch)하여 랜덤 패턴(122)을 형성한 제2 광추출층(120b)을 제공하는 단계; 및상기 제2 포토레지스트층(130b)을 제거하고 제2 광추출층(120b) 상에 평탄층(140)을 형성하는 단계를 포함하고,상기 랜덤 패턴(122)을 구성하는 홀들은 상기 광추출층(120)을 관통하지 않는 것을 특징으로 하는 칼라 필터 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 포토레지스트 막은 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethylmethacrylate; PMMA) 기반 폴리머인 것을 특징으로 하는 칼라 필터 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 플라즈마 식각 공정은 불소 , 염소, 및 브롬 중에서 적어도 하나의 원소를 포함하는 가스를 이용하는 유도 결합 플라즈마를 사용하는 특징으로 하는 칼라 필터 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 플라즈마 식각 공정시 상기 제1 포토레지스트층(130a)은 외부로부터 공급된 자외선에 노출되는 것을 특징으로 칼라 필터 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 광추출층은 금속 박막 또는 유전체 박막이고,상기 평탄층은 상기 광추출층과 다른 굴절율을 가지는 유전체인 것을 특징으로 하는 칼라 필터 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 광추출층은 실리콘 산화막이고,상기 평탄층은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 칼라 필터 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 광추출층은 금속 박막이고,상기 평탄층은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 칼라 필터 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 배치된 주기적인 광추출 패턴 및 랜덤 패턴을 구비한 광추출층; 및상기 광추출층 상에 배치된 평탄층을 포함하고,상기 주기적인 광추출 패턴은 주기적으로 배열된 제1 홀들을 포함하고, 상기 제1 홀들의 주기는 200 nm 내지 700 nm이고,상기 랜덤 패턴은 상기 제1 홀들의 직경보다 작은 제2 홀들을 포함하고,상기 제2 홀들은 랜덤하게 배치되고,상기 제2 홀들은 상기 광추출층을 관통하지 않는 것을 특징으로 하는 칼라 필터
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식각저지층을 구비한 기판;주기적인 광추출 패턴 및 랜덤 패턴을 구비하고 상기 식각저지층 상에 배치된 광 추출층;상기 광 추출층 상에 배치된 평탄층; 및상기 평탄층 상에 배치되는 유기 발광 소자를 포함하고,상기 주기적인 광추출 패턴은 주기적으로 배열된 제1 홀들을 포함하고, 상기 제1 홀들의 주기는 200 nm 내지 700 nm이고,상기 랜덤 패턴은 상기 제1 홀들의 직경보다 작은 제2 홀들을 포함하고,상기 제2 홀들은 랜덤하게 배치되고
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제 10 항에 있어서,상기 광 추출층의 두께는 200 nm 내지 400 nm 인 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 디스플레이
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제 10 항에 있어서,상기 제2 홀들의 지름은 50nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 디스플레이
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제 10 항에 있어서,상기 제1 홀들의 직경(Diameter)은 100 nm 내지 300 nm인 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 디스플레이
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제10 항에 있어서,상기 광추출층은 실리콘 산화막이고,상기 평탄층은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 디스플레이
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제10 항에 있어서,상기 광추출층은 금속 박막이고,상기 평탄층은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 디스플레이
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