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알루미늄 기판;상기 알루미늄 기판의 표면 내에 배치되고 마이크로미터 사이즈의 메사들이 불규칙하게 적층된 마이크로 구조체들; 및상기 마이크로 구조체들 상에 배치되고, 상기 메사의 표면 상에서 상부 방향으로 성장되고 불규칙하게 구부러진 형태의 다수의 시트들을 구비하며, 상기 다수의 시트들 중 일부는 겹쳐진 형태를 갖는 금속 산화물 나노패턴들을 포함하는 알루미늄 기판
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 기판은 알루미늄 합금기판인 알루미늄 기판
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제1항에 있어서,상기 메사들의 표면은 1 내지 7 마이크로미터의 변들을 갖는 알루미늄 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 나노패턴은 ZnO 나노패턴인 알루미늄 기판
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제1항에 있어서,상기 시트들 사이에 수백 나노미터 내지 수 마이크로미터 사이즈의 직경을 갖는 기공이 위치하는 알루미늄 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 나노패턴들 상에 코팅된 폴리실록산막을 더 포함하는 알루미늄 기판
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제7항에 있어서,상기 폴리실록산은 폴리디메틸실록산인 알루미늄 기판
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제7항에 있어서,상기 폴리실록산은 수 나노미터 내지 수십 나노미터의 두께를 갖는 알루미늄 기판
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알루미늄 기판을 제공하는 단계;상기 알루미늄 기판의 표면을 식각하여 표면 내에 마이크로미터 사이즈의 메사들이 불규칙하게 적층된 마이크로 구조체들을 형성하는 단계; 및상기 마이크로 구조체들 상에, 상기 메사의 표면 상에서 상부 방향으로 성장되고 불규칙하게 구부러진 형태의 다수의 시트들을 구비하며, 상기 다수의 시트들 중 일부는 겹쳐진 형태를 갖는 금속 산화물 나노패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 알루미늄 기판 제조방법
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제10항에 있어서,상기 알루미늄 기판의 표면을 식각하는 것은 산 수용액을 사용하여 수행하는 알루미늄 기판 제조방법
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제11항에 있어서,상기 산 수용액은 염산 수용액인 알루미늄 기판 제조방법
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제10항에 있어서,상기 금속 산화물 나노패턴을 형성하는 것은 수열합성법을 사용하여 수행하는 알루미늄 기판 제조방법
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제13항에 있어서,상기 수열합성법을 사용할 때 성장용액은 질산아연과 헥사메틸렌테트라아민을 함유하는 알루미늄 기판 제조방법
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제10항에 있어서,상기 금속 산화물 나노패턴들 상에 폴리실록산막을 코팅하는 단계를 더 포함하는 알루미늄 기판 제조방법
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제15항에 있어서,상기 폴리실록산은 기상증착법을 사용하여 코팅하는 알루미늄 기판 제조방법
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제16항에 있어서,상기 기상증착법은 열증발법인 알루미늄 기판 제조방법
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