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기판;상기 기판에 의해 지지되는 금속 함유 나노와이어 및 박테리오파지;를 포함하고,인접한 상기 금속 함유 나노와이어 간에 표면 플라즈몬 공명을 유도하여 나노갭을 형성하는 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은 다수의 공극을 포함하고,상기 금속 함유 나노와이어는 상기 공극을 통과하지 않은 크기를 가지는,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서, 상기 박테리오파지는 타겟 물질과 특이적으로 반응하는 수용체를 더 포함하는,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 박테리오파지 상에는 금속 함유 나노입자가 형성되어, 상기 금속 함유 나노와이어 및 상기 금속 함유 나노와이어와 인접한 박테리오파지에 형성된 금속 함유 나노입자에 의해 표면 플라즈몬 공명을 유도하여 나노갭을 형성하는 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 박테리오파지는 M13 박테리오파지, fd, 또는 fl인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어와 상기 박테리오파지는 혼합되어 있는,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어 상에 상기 박테리오파지가 적층되어 있는,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어 상에 형성된 절연막; 및상기 절연막 상에 상호 이격되어 형성된 금속 함유 나노입자;를 더 포함하는,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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9
제1항에 있어서,상기 금속은 Ag, Al, Au, Co, Cu, Fe, Li, Ni, Pd, Pt, Rh, Ru 및 이의 합금 중 어느 하나인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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10
제1항에 있어서, 상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성된,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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다수의 공극을 포함하는 기판을 준비하는 기판 준비 단계;금속 함유 나노와이어 및 박테리오파지를 포함하는 용액을 형성하는 용액 형성 단계;상기 기판 상에 금속 함유 나노와이어 및 박테리오파지가 집적되도록, 상기 용액을 여과시키는 여과 단계; 및상기 기판을 건조시키는 건조 단계;를 포함하되,상기 금속 함유 나노와이어, 및 상기 금속 함유 나노와이어와 결합된 박테리오파지는 상기 기판의 공극을 통과하지 않고, 인접한 상기 금속 함유 나노와이어 간에 표면 플라즈몬 공명을 유도하여 나노갭을 형성하는 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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다수의 공극을 포함하는 기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판 상에 금속 함유 나노와이어가 집적되도록 금속 함유 나노와이어를 포함하는 용액을 여과시키는 제1여과 단계;상기 기판을 건조시키는 제1건조 단계;상기 기판 및 금속 함유 나노와이어 상에 박테리오파지가 집적되도록, 박테리오파지를 포함하는 용액을 여과시키는 제2여과 단계; 및상기 기판을 건조시키는 제2건조 단계;를 포함하되,상기 금속 함유 나노와이어, 및 상기 금속 함유 나노와이어와 결합된 박테리오파지는 상기 기판의 공극을 통과하지 않고, 인접한 상기 금속 함유 나노와이어 간에 표면 플라즈몬 공명을 유도하여 나노갭을 형성하는 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제11항 또는 제12항에 있어서, 박테리오파지는 타겟 물질과 특이적으로 반응하는 수용체를 형성하는 단계를 더 포함하는,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제11항 또는 제12항에 있어서,상기 여과는 진공여과 방식을 이용한 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제11항 또는 제12항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어 및 상기 박테리오파지는 각기 불규칙한 방향을 가지며, 기 설정된 두께 이상으로 집적되고,상기 기 설정되는 두께는 표면증강 라만 분광용 기판의 라만 신호 증가가 포화되는 두께를 기준으로 설정되는 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제11항 또는 제12항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어 및 상기 박테리오파지가 집적되는 두께는 상기 용액 내 금속 함유 나노 와이어 및 상기 박테리오파지의 농도 및 상기 용액의 여과량을 이용하여 조절되는 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제11항 또는 제12항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어 및 상기 박테리오파지가 집적되는 밀도는 상기 용액 내 금속 함유 나노 와이어 및 상기 박테리오파지의 농도 및 상기 용액의 여과량을 이용하여 조절되는 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제11항 또는 제12항에 있어서,상기 플라즈몬 공명의 파장은 상기 금속 함유 나노와이어 및 금속 함유 나노입자의 재질, 지름, 길이 중 적어도 어느 하나를 이용하여 조절되는 것인,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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다수의 공극을 포함하는 기판을 준비하는 기판 준비 단계;금속 함유 나노와이어, 및 박테리오파지를 포함하는 용액에 분석물질을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 혼합 용액 형성 단계;상기 혼합 용액을 상기 기판에 여과시키는 여과 단계;상기 기판을 건조시키는 건조 단계; 및상기 분석물질에 광조사하여 라만 신호를 검출하는 단계;를 포함하되,상기 금속 함유 나노와이어, 및 상기 금속 함유 나노와이어와 결합된 박테리오파지는 상기 기판의 공극을 통과하지 않고, 인접한 상기 금속 함유 나노와이어 간에 표면 플라즈몬 공명을 유도하여 나노갭을 형성하는 것인, 표면증강 라만 분광용 기판을 이용한 분석방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판을 준비하는 단계;상기 기판에 분석물질을 여과시키는 단계; 및상기 분석물질에 광조사하여 라만 신호를 검출하는 단계;를 포함하는,타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판을 이용한 분석방법
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