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실리콘 양자점 정밀제어 및 활성화에 의한 광활성층 및 이의 제조방법

기술번호 : KST2018008374
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 실리콘 양자점 광활성층 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 실리콘 양자점 광활성층의 제조방법은 a) 실리콘-풍부(silicon-rich)의 인트린직 실리콘화합물층을 형성하는 단계; b) 상기 인트린직 실리콘화합물층에 펄스 레이저를 조사하여 실리콘화합물인 매질에 실리콘 양자점이 형성된 실리콘양자점층을 형성하는 단계; 및 c) 상기 실리콘양자점층에 도핑원소를 주입하고, 활성화하여 광활성층을 제조하는 단계;를 포함한다.
Int. CL	H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/036 (2006.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC	H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01)
출원번호/일자	1020160171222 (2016.12.15)
출원인	한국표준과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2018-0069233 (2018.06.25) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.12.15)
심사청구항수	8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원	대한민국	대전 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김경중	대한민국	대전광역시 유성구
2	곽계영	대한민국	대전광역시 유성구
3	이성현	대한민국	경기도 수원시 장안구
4	김안순	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 플러스	대한민국	대전광역시 서구 한밭대로 *번지 (둔산동, 사학연금회관) 층

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원		대전 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2016-1229770-65
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2017.03.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.05.12	수리 (Accepted)	9-1-2017-0015403-81
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.09.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0676244-81
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2017.11.27	수리 (Accepted)	1-1-2017-5024837-78
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.11.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-1191134-57
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2017-1191107-24
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2018.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0122860-37
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2018.04.20	수리 (Accepted)	1-1-2018-0397232-10
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.05.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0483324-52
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2018.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2018-0483298-52
12	등록결정서 Decision to grant	2018.08.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0555291-02
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 a) 실리콘-풍부(silicon-rich)의 인트린직 실리콘화합물층을 형성하는 단계;b) 상기 인트린직 실리콘화합물층에 근적외선 내지 적외선 펄스 레이저를 조사하여 실리콘화합물인 매질에 실리콘 양자점이 형성된 실리콘양자점층을 형성하는 단계; 및c) 상기 실리콘양자점층에 도핑원소를 주입하고, 활성화하여 광활성층을 제조하는 단계;를 포함하는 실리콘 양자점 광활성층의 제조방법
2	2 제 1항에 있어서,상기 b) 단계에서, 상기 펄스 레이저의 에너지에 의해, 상기 실리콘 양자점의 크기 및 밀도가 제어되는 실리콘 양자점 광활성층의 제조방법
3	3 제 1항에 있어서,상기 b) 단계에서 조사되는 펄스 레이저의 플루언스는 0
4	4 삭제
5	5 제 1항에 있어서,상기 a) 단계의 상기 실리콘화합물층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산-질화물(oxynitride)인 실리콘 양자점 광활성층의 제조방법
6	6 제 1항에 있어서,a) 단계에서, 하기 관계식 1을 만족하는 실리콘-리치의 인트린직 실리콘화합물층이 형성되는 실리콘 양자점 광활성층의 제조방법
7	7 제 1항에 있어서,상기 c) 단계 전, 또는 상기 c) 단계의 도핑 원소 주입 후 및 활성화 전, a) 단계 및 b) 단계를 일 단위 공정으로, 상기 단위 공정이 반복 수행되는 실리콘 양자점 광활성층의 제조방법
8	8 하부전극이 형성되고 제1형 불순물로 도핑된 실리콘 기판상, 제1항 내지 제3항 및 제 5항 내지 제 7항중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 실리콘 양자점 광활성층을 제조하되, 도핑원소로 상기 제1형 불순물과 상보적인 불순물을 주입하여, 실리콘 양자점 광활성층을 제조하는 단계; 및상기 실리콘 양자점 광활성층 상 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 광소자의 제조방법
9	9 제 8항에 있어서,상기 광소자는 광기전(photovoltaic) 소자 또는 발광 소자인 광소자의 제조방법
10	10 삭제
11	11 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2018111037	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2018111037	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2016-1229770-65
2	선행기술조사의뢰서	2017.03.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2017.05.12	수리 (Accepted)	9-1-2017-0015403-81
4	의견제출통지서	2017.09.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0676244-81
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2017.11.27	수리 (Accepted)	1-1-2017-5024837-78
6	[명세서등 보정]보정서	2017.11.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-1191134-57
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2017-1191107-24
8	의견제출통지서	2018.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0122860-37
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2018.04.20	수리 (Accepted)	1-1-2018-0397232-10
10	[명세서등 보정]보정서	2018.05.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0483324-52
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2018.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2018-0483298-52
12	등록결정서	2018.08.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0555291-02
13	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88
14	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
15	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72


과제고유번호	1711047589
세부과제번호	GP2016-0019
연구과제명	차세대 초박막 공정용 측정기술 개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201601~201612
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

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