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사산화삼코발트 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2018008383
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 사산화삼코발트 박막 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 사산화삼코발트 박막 형성 방법은 원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 사산화삼코발트(Co3O4) 박막을 형성하는 방법으로서, 기판 상에 코발트(Co) 전구체(precursor)를 공급하는 단계와 기판 상에 산소(O)를 함유하는 반응가스를 공급하는 단계를 포함하며, 코발트 전구체를 공급하는 단계는 코발트 전구체가 포화(saturation)되지 않는 시간 동안 상기 코발트 전구체를 공급하고, 반응가스를 공급하는 단계는 반응가스가 포화되는 시간 이상 반응가스를 공급한다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01)
CPC C23C 16/406(2013.01) C23C 16/406(2013.01) C23C 16/406(2013.01) C23C 16/406(2013.01)
출원번호/일자 1020160165833 (2016.12.07)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0066311 (2018.06.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.07)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수현 대한민국 대구광역시 수성구
2 정순영 대한민국 경상북도 경산시
3 김태현 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종우 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) K & Y 빌딩 *층(지아이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-1200171-14
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-1213787-11
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0147751-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0723642-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-1263018-81
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1263019-26
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0281709-91
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.05.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0508953-81
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0508952-35
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0427712-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.12.07 수리 (Accepted) 4-1-2020-5277862-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 사산화삼코발트(Co3O4) 박막을 형성하는 방법으로서,기판 상에 코발트(Co) 전구체(precursor)를 공급하는 단계; 및기판 상에 산소(O)를 함유하는 반응가스를 공급하는 단계;를 포함하여 코발트 산화막을 형성하되,상기 코발트 전구체는 bis(1,4-diisopropyl-1,4-diazabutadiene)Co이고, 상기 반응가스는 산소(O2)이며,상기 기판 상에 CoO 코발트 산화막이 형성되지 않고 Co3O4 코발트 산화막이 형성되도록,상기 코발트 전구체를 공급하는 단계는, 상기 코발트 전구체가 포화(saturation)되지 않는 시간 동안 상기 코발트 전구체를 공급하고,상기 반응가스를 공급하는 단계는, 상기 반응가스가 포화되는 시간 이상 상기 반응가스를 공급하여,상기 반응가스로 오존(O3)이나 산소(O2) 플라즈마를 이용하지 않으면서도 265~300℃의 온도에서 Co3O4 코발트 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 사산화삼코발트 박막 형성 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 영남대학교 LINC사업단 산학협력 선도대학(LINC) 육성사업 원자층 증착법을 이용하여 박막 태양전지의 광흡수층으로서 SnS 박막의 증착과 열처리 공정을 통한 물성 개선