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GaN 상에 자발 형성된 금 나노입자의 성장제어방법

  • 기술번호 : KST2018008422
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따르면, 펄스 레이즈 증착 챔버에서 Au를 증착하고, 열처리 공정에 의하여 자발 형성시켜서 GaN 상에 Au 나노 구조의 성장을 제어하는 방법에 있어서, 상기 성장된 Au 나노 구조에 대한 형상, 평균 높이, 측면 직경, 밀도를 상기 Au의 증착 두께, 열처리 공정의 열처리 온도 및 열처리 시간에 의하여 제어하는 것을 특징으로 하되, 상기 증착 두께는 1nm ~ 100nm의 범위에서 제어를 하고, 상기 열처리 온도는 200 ~850℃ 범위에서 제어를 하고, 상기 열처리 시간은 30~900초 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하는 GaN 상에 Au 나노구조의 성장제어방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020160170394 (2016.12.14)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1976566-0000 (2019.05.02)
공개번호/일자 10-2018-0068574 (2018.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20190509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지훈 대한민국 서울특별시 노원구
2 마오 수이 중국 서울특별시 노원구
3 푸란 네팔 서울특별시 노원구
4 이명옥 중국 서울특별시 노원구
5 장전진 중국 서울특별시 노원구
6 순다르쿤와르 네팔 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-1226763-20
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.06.26 수리 (Accepted) 9-1-2018-0030173-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0489628-13
6 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2018.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0786911-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0787059-09
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0787104-66
9 [출원서 등 보정(보완)]보정서
 2018.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0786861-21
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0716920-00
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-1235162-81
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1235192-40
13 등록결정서
Decision to grant		 2019.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0300194-03
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번호 청구항
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펄스 레이즈 증착 챔버에서 Au를 증착하고, 열처리 공정에 의하여 자발 형성시켜서 GaN 상에 Au 나노 구조의 성장을 제어하는 방법에 있어서,상기 성장된 Au 나노 구조에 대한 형상, 평균 높이, 측면 직경, 밀도를 상기 Au의 증착 두께, 열처리 공정의 열처리 온도 및 열처리 시간에 의하여 제어하는 것을 특징으로 하되, 상기 증착 두께는 3nm의 ±5% 범위 내에서 제어를 하고, 상기 열처리 온도는 550℃ ~ 850℃ 범위에서 제어를 하며, 상기 열처리 시간은 30 ~ 900초 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 증착 두께를 3(±5%)nm로 하고, 상기 열처리 온도는 550℃로 하며, 상기 열처리 시간을 450(±5%)초로 유지하여 상기 성장된 Au 나노 구조의 형상을 다면적인 나노 막대와 육각형 나노구조가 혼재된 형상으로 제어하거나,또는 상기 증착 두께를 3(±5%)nm로 하고, 상기 열처리 온도는 650 ~ 800℃로 하며, 상기 열처리 시간을 450(±5%)초로 유지하여 상기 성장된 Au 나노 구조의 형상을 육각형 나노구조로 제어하는 것을 특징으로 하는 GaN 상에 Au 나노구조의 성장제어방법
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펄스 레이즈 증착 챔버에서 Au를 증착하고, 열처리 공정에 의하여 자발 형성시켜서 GaN 상에 Au 나노 구조의 성장을 제어하는 방법에 있어서,상기 성장된 Au 나노 구조에 대한 형상, 평균 높이, 측면 직경, 밀도를 상기 Au의 증착 두께, 열처리 공정의 열처리 온도 및 열처리 시간에 의하여 제어하는 것을 특징으로 하되, 상기 증착 두께는 3nm의 ±5% 범위 내에서 제어를 하고, 상기 열처리 온도는 550℃ ~ 850℃ 범위에서 제어를 하며, 상기 열처리 시간은 30 ~ 900초 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 증착 두께를 3(±5%)nm로 하고, 상기 열처리 시간은 450(±5%)초로 유지하되, 상기 열처리 온도를 550℃에서 650℃로 증가하여, 상기 성장된 Au 나노 구조의 밀도를 1
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펄스 레이즈 증착 챔버에서 Au를 증착하고, 열처리 공정에 의하여 자발 형성시켜서 GaN 상에 Au 나노 구조의 성장을 제어하는 방법에 있어서,상기 성장된 Au 나노 구조에 대한 형상, 평균 높이, 측면 직경, 밀도를 상기 Au의 증착 두께, 열처리 공정의 열처리 온도 및 열처리 시간에 의하여 제어하는 것을 특징으로 하되, 상기 증착 두께는 1nm ~ 2nm의 범위에서 제어를 하고, 상기 열처리 온도는 550℃ ~ 850℃ 범위에서 제어를 하며, 상기 열처리 시간은 30 ~ 900초 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하되, 상기 열처리 온도를 650℃ 및 상기 열처리 시간을 상기 열처리 시간을 450(±5%)초로 유지된 상태에서 상기 증착 두께를 1(±5%)nm로부터 2(±5%)nm로 증가시켜서 상기 성장된 Au 나노 구조를 삼각형 형상으로 형성하고 크기 및 밀도를 증가시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 GaN 상에 Au 나노구조의 성장제어방법
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펄스 레이즈 증착 챔버에서 Au를 증착하고, 열처리 공정에 의하여 자발 형성시켜서 GaN 상에 Au 나노 구조의 성장을 제어하는 방법에 있어서,상기 성장된 Au 나노 구조에 대한 형상, 평균 높이, 측면 직경, 밀도를 상기 Au의 증착 두께, 열처리 공정의 열처리 온도 및 열처리 시간에 의하여 제어하는 것을 특징으로 하되, 상기 증착 두께는 10nm의 ±5% 범위 내에서 제어를 하고, 상기 열처리 온도는 550℃ ~ 850℃ 범위에서 제어를 하며, 상기 열처리 시간은 30 ~ 900초 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 증착 두께를 10nm로 하고, 상기 열처리 온도는 650℃, 상기 열처리 시간을 450(±5%)초로 유지하여 상기 성장된 Au 나노 구조를 다면체 형상으로 형성하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 GaN 상에 Au 나노구조의 성장제어방법
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펄스 레이즈 증착 챔버에서 Au를 증착하고, 열처리 공정에 의하여 자발 형성시켜서 GaN 상에 Au 나노 구조의 성장을 제어하는 방법에 있어서,상기 성장된 Au 나노 구조에 대한 형상, 평균 높이, 측면 직경, 밀도를 상기 Au의 증착 두께, 열처리 공정의 열처리 온도 및 열처리 시간에 의하여 제어하는 것을 특징으로 하되, 상기 증착 두께는 3nm ~ 100nm의 범위에서 제어를 하고, 상기 열처리 온도는 550℃ ~ 850℃ 범위에서 제어를 하며, 상기 열처리 시간은 30 ~ 900초 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 증착 두께를 3nm에서 100nm로 증가시켜서, - 여기서 상기 열처리 온도 650℃ 및 상기 열처리 시간은 450(±5%)초로 유지됨-, 상기 평균 높이는 22
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제4항에 있어서,상기 열처리 시간에 따른 나노구조의 평균 반경은 다음 식과 같은 관계에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 GaN 상에 Au 나노구조의 성장제어방법
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1 미래창조과학부 광운대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 양자/나노 구조물 기반 다중 수직적층 PV 연구
2 미래창조과학부 광운대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 홀로-디지로그 휴먼미디어 연구센터