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광전 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018008459
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 상기 광전 소자는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 전도체막, 상기 투명 전도체막 상에 형성되는 반도체 산화막 및 상기 반도체 산화막 상에 형성되고, 상기 반도체 산화막과 이종 접합을 형성하는 바나듐 산화막을 포함한다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01)
출원번호/일자 1020160171944 (2016.12.15)
출원인 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0069607 (2018.06.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180054051;
심사청구여부/일자 Y (2016.12.15)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 인천광역시 연수구
2 김홍식 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-1233762-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0140824-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0671572-80
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1167450-62
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1167449-15
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0123015-52
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.03.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0271091-47
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0271092-93
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0260372-61
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0462594-25
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2018.06.19 수리 (Accepted) 7-8-2018-0013760-03
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 전도체막;상기 투명 전도체막 상에 형성되는 반도체 산화막; 및 상기 반도체 산화막 상에 형성되고, 상기 반도체 산화막과 이종 접합을 형성하는 바나듐 산화막을 포함하는 광전 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 바나듐 산화막은 V2O5 또는 VO2인 광전 소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 투명 기판은 유연 기판인 광전 소자
4 4
제3 항에 있어서,상기 투명 기판은 PET(polyethylene terephthalate) 및 PI(Polyinide) 중 어느 하나를 포함하는 광전 소자
5 5
제1 항에 있어서,상기 광전 소자의 가시광 투과도는 50% 이상인 광전 소자
6 6
제1 항에 있어서,상기 투명 전도체막은 ITO, FTO 및 금속 나노선 중 적어도 하나를 포함하는 광전 소자
7 7
제6 항에 있어서,상기 금속 나노선은 은(Ag) 나노선을 포함하는 광전 소자
8 8
제1 항에 있어서,상기 반도체 산화막은 ZnO, CuO, AZO, TiO 및 NiO 중 적어도 하나를 포함하는 광전 소자
9 9
제1 항에 있어서,상기 바나듐 산화막의 밴드갭은 2
10 10
제1 항에 있어서,상기 바나듐 산화막은 비정질인 광전 소자
11 11
투명 기판을 제공하고,상기 투명 기판 상에 투명 전도체막을 형성하고,상기 투명 전도체막 상에 반도체 산화막을 형성하고,상기 반도체 산화막 상에 바나듐 산화막을 형성하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서,상기 바나듐 산화막을 형성하는 것은,아르곤 가스와 산소 가스를 공급하여 리액티브 스퍼터링 하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링 하는 것은,상기 아르곤 가스 대비 산소 가스의 비율은 1 내지 20%에서 조절되는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
14 14
제12 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링을 하는 것은 상기 산소 가스의 유량을 조절하여 상기 바나듐 옥사이드의 밴드갭을 2
15 15
제11 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링은 100 이상 600℃ 이하의 온도에서 진행되는 광전 소자 제조 방법
16 16
제15 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링은 상온(room temperature)에서 진행되는 광전 소자 제조 방법
17 17
제11 항에 있어서,상기 투명 전도체막은 ITO, FTO 및 금속 나노선 중 적어도 하나를 포함하는 광전 소자 제조 방법
18 18
투명 유연 기판;상기 투명 유연 기판 상에 형성되는 ITO막으로서, 상기 ITO막의 상면은 제1 및 제2 상면을 포함하고, 상기 제1 상면은 노출되는 ITO막;상기 제2 상면 상에 형성되는 ZnO막; 및상기 ZnO막 상에 형성되는 바나듐 산화막을 포함하는 광전 소자
19 19
제18 항에 있어서,상기 제2 상면의 면적은 상기 제1 상면의 면적보다 큰 광전 소자
20 20
제18 항에 있어서,상기 바나듐 산화막은 상기 제1 상면과 오버랩되지 않고, 상기 제2 상면과 오버랩되는 광전 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101905380 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인천대학교 에너지기술개발사업 투명 전도체 나노 렌즈를 이용한 태양전지 성능 향상 기술개발(RCMS)
2 미래창조과학부 인천대학교 일반연구자사업 산화물 반도체 기반의 투명 태양전지를 이용한 창조적 생태에너지 순환시스템