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(B) 하기 화학식 1b로 표시되는 폴리아믹산을 경화시켜 폴리이미드를 수득하는 단계를 포함하는, 하기 화학식 1c로 표시되는 폴리이미드의 제조방법으로서;[화학식 1b][화학식 1c]상기 은 하기 화학식 2e의 구조를 가지고,상기 -Ar2-는 하기 화학식 1d의 구조를 가지며,상기 -Ar3-은 하기 화학식 3a의 구조를 가지고,상기 -X1 및 -X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 화학식 4a 내지 4d 중 하나의 구조를 가지며,상기 n은 0이거나 또는 1이고, 상기 m1은 5 내지 1,000 이하의 수이며, 상기 m2는 0 내지 10,000 이하의 수이고,[화학식 2e][화학식 1d][화학식 3a][화학식 4a][화학식 4b][화학식 4c][화학식 4d]상기 (B) 단계에서 저온 경화 촉매와 무기물 충전제가 사용되며,상기 저온 경화 촉매는 1,4-디아자비사이클로[2,2,2]옥탄, 1,8-디아자비사이클로[5,4,0]운덱-7-엔, 4-하이드록시피리딘의 중량비 1 : 1
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제10항에 있어서, 상기 무기물 충전제는 실리카, 알루미나, 티타니아, 망간옥사이드, 지르코늄옥사이드, 테트라에톡시실란, 몬트모릴로나이트 모텐나이트, 지르코늄인산(ZrP), 포스포텅스틱산, 실리코텅스틱산, 포스포몰리브덴산, 헤테로다중산(HPA) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 (B) 단계를 수행함에 있어, 상기 저온 경화 촉매를 먼저 투입하고 나서, 상기 무기물 충전제를 이후 투입하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 폴리아믹산은 n이 0인 경우에 하기 (A) 단계에 의해 제조되고, n이 1인 경우에 하기 (A) 및 (A') 단계를 순차적으로 수행하여 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 (B) 단계는 상기 (A) 또는 (A') 단계의 폴리아믹산을 스핀 코팅한 후, 200-250 ℃에서 30-120 분 동안 유지하여 경화시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 제조방법
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