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바나듐 산화물을 포함하는 나노와이어 코어와, 상기 나노와이어 코어 표면에 형성되고 그래핀 산화물과 그래핀을 포함하는 쉘을 포함하고,상기 나노와이어 코어와 상기 쉘은 질량비가 1:1 ~ 10:1이며,상기 쉘은 코어를 완전히 감싸는 코어-쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀-바나듐 산화물 나노와이어
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제 1항에 있어서,상기 바나듐 산화물은, VO2, V2O5 및 V3O8로 구성된 그룹 중에서 선택된 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀-바나듐 산화물 나노와이어
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바나듐 산화물을 포함하는 나노와이어 코어와, 상기 나노와이어 코어 표면에 형성되고 그래핀 산화물과 그래핀을 포함하는 쉘을 포함하고,상기 나노와이어의 코어와 상기 쉘은 질량비가 1:1 ~ 10:1이며,상기 쉘은 코어를 완전히 감싸는 코어-쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 이차전지용 양극 활물질
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제 5항에 있어서,상기 바나듐 산화물은, VO2, V2O5 및 V3O8로 구성된 그룹 중에서 선택된 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 양극 활물질
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그래핀 산화물을 유기용매에 분산시켜 그래핀 산화물 분산액을 제조하는 단계;상기 분산액에 바나듐 산화물을 투입하고 반응시켜 그래핀-바나듐 산화물 혼합액을 제조하는 단계; 및상기 그래핀-바나듐 산화물 혼합액을 열처리하여 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하고,상기 열처리는 300 ~ 500℃에서 1 ~ 4시간 동안 진행하며,상기 바나듐 산화물 및 그래핀 산화물은 질량비가 1:1 ~ 4:1로 포함되고,상기 그래핀-바나듐 산화물 나노와이어는 코어-쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀-바나듐 산화물 나노와이어의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 그래핀 산화물 분산액을 제조하는 단계는, 초음파로 분산하는 것을 특징으로 하는 그래핀-바나듐 산화물 나노와이어의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 그래핀-바나듐 산화물을 제조하는 단계는,강산을 더 투입하는 것을 특징으로 하는 그래핀-바나듐 산화물 나노와이어의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 그래핀-바나듐 산화물 혼합액을 열처리하는 단계 전, 사전열처리하는 단계를 더 포함하고,상기 사전열처리단계는 100 ~ 140℃에서 12~ 48시간 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 그래핀-바나듐 산화물 나노와이어의 제조방법
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바나듐 산화물을 포함하는 나노와이어 코어와, 상기 나노와이어 코어 표면에 형성되고 그래핀 산화물과 그래핀을 포함하는 쉘을 포함하고,상기 나노와이어 코어와 상기 쉘은 질량비가 1:1 ~ 10:1 이며,상기 쉘은 코어를 완전히 감싸는 코어-쉘 구조를 갖는 이차전지용 양극활물질;전해질; 및음극활물질;을 포함하는 것을 특징으로 이차전지
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제 14항에 있어서,상기 음극활물질은, 리튬금속, 리튬합금, 리튬이 함유된 비정질 탄소 또는 흑연계 탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지
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