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기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮도록 형성된 절연체층; 상기 절연체층 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성되며 상기 반도체층이 외부에 노출되지 않도록 상기 반도체층을 덮어서 보호하는 유기물층; 및 상기 유기물층 상에 형성되며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 유기물층은 3개의 부분으로 나뉘며, 상기 소스 전극과 반도체층 및 상기 드레인 전극과 반도체층 사이에 배치된 유기물층은 도핑된 유기물층이고,상기 도핑된 유기물층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극으로부터 상기 반도체층으로 이동하는 금속 이온의 확산을 방지하고, 나머지 유기물층은 상기 반도체층이 외부 기체와 접촉하는 것을 방지하는,박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기물층의 유기물은, 공액성 전자구조를 가지는 유기물을 기본 골격으로 하고, 상기 골격에 알킬그룹이 결합된 화합물인, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기물층의 유기물은 탄소반도체 계열 유기물(C60, PCBM, graphene, 및 graphene oxide 중 적어도 하나), 안트라싸이오펜 계열(ADT, DHADT, DDADT, TESADT, 및 DIF-TESADT 중 적어도 하나), fused-ring 싸이오펜 계열(P3HT, a6T, DH-6T do-P2TP, 및 BP2T 중 적어도 하나), 다중 페닐링 계열(테트라센, 펜타센, 헥사센, 및 TIPS-펜타센 중 적어도 하나), NDI 계열(N2200, NDI8-CN, 및 PNDISS 적어도 하나), PDI 계열(PDI-8CN2, POL-PDI, 및 P(PDI2DD-DTT) 적어도 하나), BTBT 계열(C8-BTBT 및 DMeO-BTBT 적어도 하나), ADI 계열(ADI8 및 ADI8-CN 중 적어도 하나), 카바졸 계열(PCB 및 PCDTBT 중 적어도 하나), DPP 계열(Diphenyl-DPPs, dithienyl-DPP, Diaryl-DPPs, BBTDPP1, 및 PDQT 중 적어도 하나), 프탈로시아닌 계열(CuPc, LuPc2, 및 SnCl2Pc 중 적어도 하나) 중 적어도 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 도핑된 유기물의 도펀트는 n형 도펀트 또는 p형 도펀트이며, 상기 n형 도펀트는 알칼리메탈 할라이드(MX: M = Li, Na, K, Rb, Cs; X = F, Cl, Br, I), 1,3-Dimethyl-2-phenyl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazole(DMBI) 유도체, 아민 고분자 (polyethyleneimine) 유도체 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 p형 도펀트는 전이금속 산화물(MoO3, WO3, V2O5, 및 NiO 중 적어도 하나), TCNQ(F4TCNQ) 계열, CuPc (F16-CuPc) 중 적어도 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
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기판; 상기 기판 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 배치되며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극과 상기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 반도체층 사이에 각각 배치되며 상기 반도체층이 외부에 노출되지 않도록 상기 반도체층을 덮어서 보호하는 유기물층; 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층으로부터 절연된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층을 절연시키는 절연체층을 포함하고,상기 유기물층은 3개의 부분으로 나뉘며, 상기 소스 전극과 반도체층 및 상기 드레인 전극과 반도체층 사이에 배치된 유기물층은 도핑된 유기물층이고,상기 도핑된 유기물층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극으로부터 상기 반도체층으로 이동하는 금속 이온의 확산을 방지하고, 나머지 유기물층은 상기 반도체층이 외부 기체와 접촉하는 것을 방지하는,박막 트랜지스터
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제6항에 있어서, 상기 절연체층과 상기 반도체층 사이에, 상기 유기물층 사이에 추가로 유기물층이 형성된, 박막 트랜지스터
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제6항에 있어서, 상기 유기물층의 유기물은, 공액성 전자구조를 가지는 유기물을 기본 골격으로 하고, 상기 골격에 알킬그룹이 결합된 화합물인, 박막 트랜지스터
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제6항에 있어서, 상기 유기물층은 탄소반도체 계열 유기물(C60, PCBM, graphene, 및 graphene oxide 중 적어도 하나), 안트라싸이오펜 계열(ADT, DHADT, DDADT, TESADT, 및 DIF-TESADT 중 적어도 하나), fused-ring 싸이오펜 계열(P3HT, a6T, DH-6T do-P2TP, 및 BP2T 중 적어도 하나), 다중 페닐링 계열(테트라센, 펜타센, 헥사센, 및 TIPS-펜타센 중 적어도 하나), NDI 계열(N2200, NDI8-CN, 및 PNDISS 적어도 하나), PDI 계열(PDI-8CN2, POL-PDI, 및 P(PDI2DD-DTT) 적어도 하나), BTBT 계열(C8-BTBT 및 DMeO-BTBT 적어도 하나), ADI 계열(ADI8 및 ADI8-CN 중 적어도 하나), 카바졸 계열(PCB 및 PCDTBT 중 적어도 하나), DPP 계열(Diphenyl-DPPs, dithienyl-DPP, Diaryl-DPPs, BBTDPP1, 및 PDQT 중 적어도 하나), 프탈로시아닌 계열(CuPc, LuPc2, 및 SnCl2Pc 중 적어도 하나) 중 적어도 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
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제6항에 있어서, 상기 도핑된 유기물의 도펀트는 n형 도펀트 또는 p형 도펀트이며, 상기 n형 도펀트는 알칼리메탈 할라이드(MX: M = Li, Na, K, Rb, Cs; X = F, Cl, Br, I), 1,3-Dimethyl-2-phenyl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazole(DMBI) 유도체, 아민 고분자 (polyethyleneimine) 유도체 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 p형 도펀트는 전이금속 산화물(MoO3, WO3, V2O5, 및 NiO 중 적어도 하나), TCNQ(F4TCNQ) 계열, CuPc (F16-CuPc) 중 적어도 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
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