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p형 흑린박막; 및하기 화학식 1로 표시되는 다이아지린 화합물에 의해 표면 개질되어 n형 반도체 특성을 갖는 n형 흑린박막;이 수평적으로 접합된 수평 p-n 접합 흑린박막
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제 1항에 있어서,상기 다이아지린 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 수평 p-n 접합 흑린박막
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제 1항에 있어서,상기 p형 흑린박막 및 n형 흑린박막의 선폭(W)은 서로 독립적으로 100 내지 100,000 ㎚인 수평 p-n 접합 흑린박막
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제 1항, 제 3항 및 제 4항에서 선택되는 어느 한 항의 수평 p-n 접합 흑린박막을 포함하는 반도체 소자
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제 5항에 있어서,상기 반도체 소자는 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터, 광소자, 태양전지 또는 집적회로인 반도체 소자
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a) 흑린박막의 표면을 하기 화학식 1로 표시되는 다이아지린 화합물로 코팅하는 단계;b) 상기 다이아지린 화합물이 코팅된 흑린박막의 상부에 패턴화된 포토마스크를 형성하는 단계; 및c) 광조사를 통해 상기 포토마스크에 의해 노출된 영역을 n형 흑린박막으로 개질하는 단계;를 포함하는 수평 p-n 접합 흑린박막의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 c)단계의 광조사는 1 내지 1000 W의 광량으로 1 내지 60분 동안 수행되는 것인 수평 p-n 접합 흑린박막의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 광은 200 내지 500 ㎚의 파장을 갖는 것인 수평 p-n 접합 흑린박막의 제조방법
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하기 화학식 1로 표시되는 다이아지린 화합물에 의해 표면 개질된 n형 흑린박막
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A) 흑린박막의 표면을 하기 화학식 1로 표시되는 다이아지린 화합물로 코팅하는 단계; 및B) 광조사를 통해 상기 흑린박막의 표면을 n형 흑린박막으로 개질하는 단계;를 포함하는 n형 흑린박막의 제조방법
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