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제1 반도체층(130)과, 적어도 하나 이상의 활성층과, 제2 반도체층(160)이 적층된 에피 구조체에 있어서,상기 에피 구조체를 발광 영역과 발열 영역으로 구분하는 에칭 영역(170);상기 에피 구조체 발광 영역의 제2 반도체층(160) 상에 설치되어 에피 구조체가 발광되도록 상기 에피 구조체 발광 영역으로 전류를 공급하는 구동 전극(180); 및상기 에피 구조체 발열 영역의 제2 반도체층(160) 상에 설치되어 상기 에피 구조체를 가열하고, 상기 에피 구조체의 가열에 따른 온도 변화를 통해 상기 에피 구조체에서 발광되는 파장이 가변되도록 상기 에피 구조체 발열 영역으로 전류를 공급하는 발열 전극(190)을 포함하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 1 항에 있어서,상기 파장 가변 LED 소자는 GaAs계를 포함하는 III-V족 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 2 항에 있어서,상기 파장 가변 LED 소자는 접지 전극(200)을 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 3 항에 있어서,상기 에피 구조체의 상면, 측면, 에칭영역(170)을 절연하고, 상기 구동 전극(180) 및 발열 전극(190)이 분리되도록 절연하는 절연체(210)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 4 항에 있어서,상기 파장 가변 LED 소자는 수직형 구조, 래터럴 구조, 플립형 구조 중 어느 하나의 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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6
제 4 항에 있어서,상기 활성층은 서로 다른 파장의 광을 출력하는 제1 발광층(140) 및 제2 발광층(150)을 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제6 항에 있어서,상기 에피 구조체는 AlGaInP 또는 AlInP를 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 4 항에 있어서,상기 에칭 영역(170)에 의해 형성되는 상기 발광 영역과 발열 영역 사이의 이격 간격(d)은 1㎛ ~ 10㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 4 항에 있어서,상기 발열 전극(190)은 구동 전극(180)을 중심으로 양쪽에 형성한 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 4 항에 있어서,상기 구동 전극(180)은 접촉 저항이 낮은 금속 소재로 이루어지고, 발열 전극(190)은 온도저항계수가 큰 금속 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 4 항에 있어서,상기 발열 전극(190)은 온도저항계수 값이 적어도 0
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제 4 항에 있어서,상기 발열 전극(190)은 AuBe, Au, Pt, Cr, Cu, Al, W, Mo, Ni, Fe 및 이들의 합금중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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제 4 항에 있어서,상기 접지 전극(200)은 Ni, Au 및 Ge 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자
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a) GaAs 기판(110) 상에 제1 반도체층(130)과, 적어도 하나 이상의 활성층과, 제2 반도체층(160)이 적층된 에피 구조체를 형성하는 단계;b) 상기 형성된 에피 구조체가 발광 영역과 발열 영역으로 구분되도록 에칭영역(170)을 형성하는 단계; c) 상기 에피 구조체의 발광 영역이 발광되도록 상기 에피 구조체 발광 영역의 제2 반도체층(160) 상에 구동 전극(180)을 형성하는 단계; 및d) 상기 에피 구조체의 발열 영역을 가열하고, 상기 에피 구조체 발열 영역의 가열에 따른 온도 변화를 통해 상기 에피 구조체에서 발광되는 파장이 가변되도록 상기 에피 구조체 발열 영역의 제2 반도체층(160) 상에 발열 전극(190)을 형성하는 단계를 포함하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 제조방법은 상기 발광 영역과 발열 영역으로 구분된 에피 구조체의 상면, 측면, 에칭영역(170)을 절연하고, 상기 구동 전극(180) 및 발열 전극(190)이 분리 및 절연되도록 절연체(210)를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 제조방법은 GaAs 기판(110)의 저면에 접지 전극(200)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 구조를 갖는 파장 가변 LED 소자의 제조방법
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