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ECR-PEALD법에 의한 반도체 소자의 절연막 제조방법

  • 기술번호 : KST2018008728
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 또는 상온에서도 우수한 반도체 특성의 알루미늄 산화막을 형성할 수 있어서 유연성 기판의 반도체 소자에 적용할 수 있는 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 알루미늄의 소스 가스 분위기에서 알루미늄 소스를 기판 표면에 흡착시키는 단계; (B) 불활성 가스로 기판에 흡착되지 않은 상기 알루미늄의 소스 가스를 제거하는 단계; (C) 상기 알루미늄의 소스 가스가 흡착된 기판에 산소의 소스 가스와 ECR(electron cyclotron resonance) 플라즈마를 가하여 기판 상에 알루미늄 산화막을 형성하는 단계; (D) 불활성 가스로 반응 후 잔류하는 과량의 가스를 제거하는 단계;로 구성된 사이클을 반복하여 기판 상에 알루미늄 산화막으로 이루어진 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 절연막 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020160175851 (2016.12.21)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0072363 (2018.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현석 대한민국 대전광역시 유성구
2 김양수 대한민국 대전광역시 중구
3 양대규 대한민국 경상북도 구미시
4 한석길 대한민국 대전광역시 서구
5 김형도 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1257853-57
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0186789-90
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번호 청구항
1 1
(A) 알루미늄의 소스 가스 분위기에서 알루미늄 소스를 기판 표면에 흡착시키는 단계; (B) 불활성 가스로 기판에 흡착되지 않은 상기 알루미늄의 소스 가스를 제거하는 단계;(C) 상기 알루미늄의 소스 가스가 흡착된 기판에 산소의 소스 가스와 ECR(electron cyclotron resonance) 플라즈마를 가하여 기판 상에 알루미늄 산화막을 형성하는 단계;(D) 불활성 가스로 반응 후 잔류하는 과량의 가스를 제거하는 단계;로 구성된 사이클을 반복하여 기판 상에 알루미늄 산화막으로 이루어진 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 절연막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 소스는 트리메틸알루미늄(Al(CH3)3), 클로로디메틸알루미늄((CH3)2Cl), 트리클로로알루미늄(AlCl3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 절연막 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 산소의 소스는 O2, O3, H2O, H2O2, N2O, NO, NH3로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 절연막 제조방법
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (A) 내지 (D) 단계의 증착온도는 10~200℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 절연막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 충남대학교 산학협력단 도약기술개발사업 플렉서블 디바이스 응용을 위한 고효율 플라즈마 원자층 증착기 (Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition) 개발
2 산업통상자원부 한양대학교 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(디스플레이) 초고이동도 (≥120 cm2/Vs) 저온 박막 산화물계 트랜지스터 소재 및 공정 기술 개발