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기판;상기 기판의 일면에 형성되며, 이온성 액체가 주입된 제1 및 제2 미세유체채널; 상기 제1 및 제2 미세유체채널 사이에 형성된 고분자 격벽; 및상기 제1 및 제2 미세유체채널의 말단에 각각 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고,제1 및 제2 미세유체채널은 고분자 격벽을 사이에 두고 대향성을 갖도록 형성되며,고분자 격벽은 고분자 매트릭스 내에 탄소 물질이 분산된 구조이고, 전하를 띈 표면과 이온성 액체의 계면에 전기 이중층(Electro double layer)이 형성되어 압력 및 온도를 감지하는 센서
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제 1 항에 있어서,제1 및 제2 미세유체채널의 말단에 각각 형성된 제1 및 제2 전극은 고분자 격벽을 기준으로 대칭되는 선상에 형성된 센서
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제 1 항에 있어서,탄소 물질은 흑연, 탄소나노튜브, 탄소나노로드, 탄소섬유 및 그래핀 중 1 종 이상을 포함하는 센서
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제 1 항에 있어서,고분자는 실리콘계 수지, 스티렌계 수지, 폴리올레핀계 수지, 열가소성 엘라스토머, 폴리옥시알킬렌계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 탄화수소의 혼합물, 폴리아미드계 수지, 아크릴레이트계 수지, 에폭시계 수지 및 불소계 수지 중 1 종 이상을 포함하는 센서
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제 1 항에 있어서,고분자 100 중량부를 기준으로 탄소 물질은 0
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제 1 항에 있어서,미세유체채널 단면적의 장축 길이는 200 내지 500 ㎛이고,미세유체채널 단면적의 단축 길이는 50 내지 100 ㎛인 센서
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제 1 항에 있어서,대향 배치된 미세유체채널 사이의 거리는 200 내지 600 ㎛인 센서
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