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기판;상기 기판 상에 형성된 접착층; 및 상기 접착층 상에 형성되며, 나노 홀 구조를 가지는 플라즈모닉스 박막층;을 포함하는 가변형 파장 흡광 필름
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리, 석영(quartz), Al2O3, PET(polyethylene terephthlate), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PC(polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), 및 PAR(polyarylate)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가변형 파장 흡광 필름
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제 1 항에 있어서,상기 접착층은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가변형 파장 흡광 필름
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제 1 항에 있어서, 상기 접착층은 0
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈모닉스 박막층은 금 또는 은으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가변형 파장 흡광 필름
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제 1 항에 있어서,상기 나노 홀은 지름이 50 ~ 200 nm인 것을 특징으로 하는 가변형 파장 흡광 필름
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7
제 1 항에 있어서,상기 플라즈모닉스 박막층은 5 ~ 50 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 가변형 파장 흡광 필름
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8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 가변형 파장 흡광 필름을 포함하는 광학기기
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9
기판 상에 접착층을 형성하는 단계(S10);상기 접착층 상에 금속층을 형성하는 단계(S20);상기 금속층 상에 양극산화된 나노구조 박막층을 형성하는 단계(S30);상기 양극산화된 나노구조 박막층을 건식 식각하는 단계(S40); 및 상기 건식 식각 후 양극산화된 나노구조 박막층을 제거하여 플라즈모닉스 박막층을 형성하는 단계(S50);를 포함하는 가변형 파장 흡광 필름의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 양극산화된 나노구조 박막층은 다공성으로 형성되는 것으로 특징으로 하는 가변형 파장 흡광 필름의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 양극산화된 나노구조 박막층은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가변형 파장 흡광 필름의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 건식 식각은 반응 이온 식각(reactive ion etching, RIE), 플라즈마 식각(plasma etching), 및 스퍼터 식각(sputter etching)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가변형 파장 흡광 필름의 제조방법
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