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고온용 접합 페이스트 및 인 시츄 미세 은 범프 형성을 이용한 접합 방법

  • 기술번호 : KST2018008943
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고온용 접합 페이스트 및 이를 이용한 접합 방법에 관한 것으로서, 구리 입자 표면에 은 셀층이 형성된 은코팅 구리 입자를 포함하는 페이스트에 있어서, 상기 은코팅 구리 입자는 서브마이크론급 크기를 가지며, 상기 은코팅 구리 입자에서의 은 셀층의 디웨팅(dewetting)에 의해 인 시츄(in situ) 미세 은 범프(bump)가 형성되어, 상기 은코팅 구리 입자 간이 상기 미세 은 범프에 의해 접합되어, 전기적 그리고 열적 접합부를 형성하는 것을 특징으로 하는 고온용 접합 페이스트를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 서브마이크론급 크기의 은코팅 구리 입자를 사용함으로써, 접합 공정 시간을 단축시키는 한편, 접합부가 전기전도도 및 열전도도 특성이 우수한 은과 구리로만 이루어져 기본적으로 전기적, 열적 특성이 매우 우수하며, 이들은 종래의 솔더 재료에 비해 융점이 월등히 높아 소자 작동시의 고온 발열 환경에서도 소자 및 모듈의 열-기계적 손상이 최소화되므로 소자 및 모듈의 신뢰성을 확보하는 접합재를 제공하는 이점이 있다.
Int. CL H01L 23/00 (2006.01.01) H01L 21/18 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/48 (2006.01.01)
CPC H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01)
출원번호/일자 1020160176728 (2016.12.22)
출원인 서울과학기술대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0073767 (2018.07.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 경기도 구리시
2 이창현 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1262648-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0062996-60
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0223783-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0165756-72
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0792567-11
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0046003-28
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0153215-88
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0153210-50
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0434005-12
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0849698-96
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0912775-71
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0912774-25
14 등록결정서
Decision to grant
2018.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0839806-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구리 입자 표면에 은 셀층이 형성된 은코팅 구리 입자를 포함하는 페이스트에 있어서,상기 은코팅 구리 입자는 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 고온용 접합 페이스트는,소자 또는 칩과 기판 사이에 위치하며, 1~10MPa 압력으로 소자 또는 칩을 1~20분 동안 프레스 가압하여 내부 기공도 및 접합 강도가 조절되는 것을 특징으로 하는 고온용 접합 페이스트
5 5
제 1항에 있어서, 상기 고온용 접합 페이스트는,전체 고온용 접합 페이스트에 대해 용제 10~30중량부와 상기 은코팅 구리 입자 70~90중량부로 이루어진 것을 특징으로 하는 고온용 접합 페이스트
6 6
제 1항, 제4항 및 제 5항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 고온용 접합 페이스트는,접합 조직의 밀도를 증가시키기 위해 서로 크기가 다른 도전성 금속 입자 또는 은코팅 구리 입자를 2~3종 혼합된 것을 특징으로 하는 고온용 접합 페이스트
7 7
제1피접합체와 제2피접합체를 서로 접합시키는 방법에 있어서,제1피접합체의 일측면에 구리 입자 표면에 두께 2~50nm의 은 셀층이 형성된 0
8 8
제 7항에 있어서, 상기 페이스트는,소자 또는 칩과 기판 사이에 위치하며, 1~10MPa 압력으로 소자 또는 칩을 1~20분 동안 프레스 가압하여 내부 기공도 및 접합 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 인 시츄 미세 은 범프 형성을 이용한 접합 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제2피접합체를 상기 페이스트 상측에 정렬 적층하기 직전에 150~225℃의 예열 공정이 더 이루어져, 상기 페이스트 내 용제 또는 용매를 선 제거하는 것을 특징으로 하는 인 시츄 미세 은 범프 형성을 이용한 접합 방법
10 10
제 7항 내지 제 9항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제2피접합체는 IGBT 소자와 같은 고발열 소자인 것을 특징으로 하는 인 시츄 미세 은 범프 형성을 이용한 접합 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통산자원부 서울과학기술대학교 산학협력단 전략적핵심소재기술개발사업 고생산성 습식공정의 저비용 Core-Shell 금속 복합체를 이용한 터치패널용 미세 패턴성 및 태양전지용 고전도성 페이스트 개발
2 교육부 서울과학기술대학교 산학협력 일반연구자지원사업(신진) Solder Nanoparticle을 이용한 Interconnection 기술 개발