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a) K2TaF7인 탄탈륨 원 및 희석제를 함유하되, 탄탈륨 원 1 중량부 기준 1 내지 2 중량부의 희석제를 함유하는 원료를 가열하는 단계; b) 가열된 원료에 소듐을 포함하는 금속 환원제를 불연속적으로 스프레이(spray) 분사하여 탄탈륨 입자를 제조하는 단계; 및c) b) 단계의 탄탈륨 입자를 냉각된 불활성 가스로 냉각하는 단계;를 포함하며,상기 b) 단계에서 주입되는 소듐의 총 량은 원료의 탄탈륨 원 1몰을 기준으로, 5
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제 1항에 있어서,상기 b) 단계에 주입되는 소듐의 총 량은 원료의 탄탈륨 원 1몰을 기준으로, 6 내지 7몰인 탄탈륨 입자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 b) 단계의 불연속적 주입은 하기 관계식 1을 만족하는 탄탈륨 입자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 b) 단계의 가열된 원료는 액상이며, 상기 불연속적인 금속 환원제의 주입시, 500rpm 이상의 고속 교반이 수행되며, 금속 환원제의 주입이 모두 완료된 후 100rpm 이하의 저속 교반이 수행되는 탄탈륨 입자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 저속 교반은 5 내지 30분 동안 유지되는 탄탈륨 입자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 c) 단계의 냉각은 액체 질소로 냉각된 불활성 가스가 상기 b) 단계의 산물에 주입되어 수행되는 탄탈륨 입자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 희석제는 NaCl, KCl, KF, NaF 또는 이들의 혼합물인 탄탈륨 입자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 c) 단계 후,산을 이용한 세척이 더 수행되는 탄탈륨 입자의 제조방법
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