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비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018009090
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 소자는, 하부 전극과, 상기 하부 전극 상의 정보 저장 층과, 상기 정보 저장 층 상에 배치된 상부 전극을 포함한다. 여기서, 상기 정보 저장 층은 1cm3 당 1020개 내지 1022개의 불순물들로 도핑된 산화물을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020160178061 (2016.12.23)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0074876 (2018.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 엄대진 대한민국 대전 유성구
2 구자용 대한민국 대전시 유성구
3 문창연 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1268381-66
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0192474-91
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0437768-97
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0437769-32
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0638406-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상의 정보 저장 층; 및상기 정보 저장 층 상에 배치된 상부 전극을 포함하되,상기 정보 저장 층은 1cm3 당 1020개 내지 1022개의 불순물들로 도핑된 산화물을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화물은 반도체 산화물을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 반도체 산화물은 실리콘 산화물을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 불순물은 보론을 포함하되,상기 정보 저장 층은 이력 현상 또는 쌍 안정 현상을 갖는 비휘발성 메모리 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 하부 전극과 상기 정보 저장 층 사이에 배치된 반도체 층을 더 포함하되,상기 반도체 층은 1cm3 당 1020개 내지 1022개의 상기 보론으로 도핑된 실리콘을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
6 6
제 5 항에 있어서,상기 반도체 층은 0
7 7
제 5 항에 있어서,상기 반도체 층은 트렌치를 갖되,상기 정보 저장 층과 상기 상부 전극은 상기 트렌치 내에 배치된 비휘발성 메모리 소자
8 8
제 5 항에 있어서,상기 실리콘은 상부 면이 (100) 면을 갖는 결정 실리콘 또는 폴리실리콘인 비휘발성 메모리 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 정보 저장 층은 5Å 내지 1000Å의 두께를 갖는 비휘발성 메모리 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 정보 저장 층은 양의 제 1 문턱 전압과, 상기 제 1 문턱 전압과 다른 음의 제 2 문턱 전압을 갖는 비휘발성 메모리 소자
11 11
반도체 층 내에 불순물을 주입하는 단계;상기 반도체 층의 표면 내에 정보 저장 층을 형성하는 단계; 및상기 정보 저장 층 상과 상기 반도체 층 아래에 상부 전극 및 하부 전극들을 각각 형성하는 단계를 포함하되,상기 정보 저장 층은 1cm3 당 1020개 내지 1022개의 불순물들로 도핑된 산화물을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 반도체 층은 실리콘을 포함하되,상기 정보 저장 층은 상기 반도체 층의 열처리 공정에 의해 형성된 실리콘 산화막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 정보 저장 층 및 상기 상부 전극을 리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 반도체 층 내에 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 정보 저장 층 및 상기 상부 전극은 상기 트렌치 내에 형성되는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101855865 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2017119752 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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