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반응 장치(reactor) 내에 탄화규소(SiC) 기판을 장입한 후, 상기 반응 장치 내부를 설정 온도로 승온시키는 승온 단계,상기 승온 단계에서 상기 반응 장치 내부를 승온시키면서 행해지고, 상기 탄화규소 기판 표면을 설정 시간 동안 에칭하는 인-시튜 에칭(In-situ etching) 단계,상기 인-시튜 에칭 단계가 끝남과 동시에 행해지고, 상기 반응 장치 내에 공정가스인 SiH4 가스와 C3H8 가스를 공급하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계, 및 상기 버퍼층이 형성된 후, 설정 온도 및 설정 압력 하에서 공정 가스로서 SiH4 가스와 C3H8 가스를 사용하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 에피 박막을 성장시켜 에피층을 형성하는 에피 박막 성장 단계를 포함하고, 상기 버퍼층 형성 단계 및 상기 에피 박막 성장 단계에서는 공정 가스로서 염화수소(HCl)가 도입되고, 상기 인-시튜 에칭 단계에서는 상기 반응 장치 내에 수소 또는 수소(H2)와 염화수소(HCl)의 혼합 가스가 공급되고, 상기 버퍼층 형성 단계 및 상기 에피 박막 성장 단계에서는 도핑 가스로서 질소(N2)가 도입되며, 상기 버퍼층 형성 단계는 초기 공정 가스 유량을 상기 에피 박막 성장 단계에서 주입하는 공정 가스 유량 대비 1/5 이하로 제어하는 버퍼층 형성 초기 공정 가스 유량 제어 단계를 포함하고, 상기 버퍼층 형성 초기 공정 가스 유량 제어 단계의 초기 공정 가스의 유량 조건은, SiH4는 10 cm3/min 이상 30 cm3/min 이하로 설정되고, C3H8은 cm3/min 이상 10 cm3/min 이하로 설정되고, N2는 1 cm3/min 이상 3 cm3/min 이하로 설정되고, 상기 에피 박막 성장 단계에서, 설정 온도는 1500℃ 내지 1600℃ 범위 내의 온도이고, 상기 인-시튜 에칭 단계에서 에칭 온도는 1530℃ 내지 1570℃ 범위 내의 온도인 것인, 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법
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