| 1 |
1
친수성 산 단량체를 포함하는 코어층 형성 단량체의 중합으로 형성된 코어층, 및 상기 코어층을 둘러싸는 쉘층을 포함하며, 다수의 미세 기공이 존재하는 다공성 중공 고분자 입자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 코어층 형성 단량체는 (메트)아크릴레이트의 C1-20 알킬 및 C3-20 알케닐 에스테르로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에틸렌성 불포화 단량체를 추가로 포함하는, 다공성 중공 고분자 입자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 코어층과 상기 쉘층 사이에 중간층을 추가로 포함하는, 다공성 중공 고분자 입자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 중간층은 소수성 단량체 및 (메트)아크릴레이트의 C1-20 알킬 및 C3-20 알케닐 에스테르로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에틸렌성 불포화 단량체의 혼합물의 중합으로 형성되는, 다공성 중공 고분자 입자
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 혼합물은 친수성 산 단량체를 추가로 포함하는, 다공성 중공 고분자 입자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 쉘층은 소수성 단량체의 중합으로 형성되는, 다공성 중공 고분자 입자
|
| 7 |
7
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 친수성 산 단량체는 에틸렌성 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산의 모노 알킬 에스테르 및 비닐 벤조산으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종인, 다공성 중공 고분자 입자
|
| 8 |
8
제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 소수성 단량체는 스티렌, 비닐벤젠, 디비닐벤젠, 비닐톨루엔, 에틸렌, 비닐 아세테이트, 비닐 클로라이드, 비닐리덴 클로라이드, 아크릴로니트릴 및 (메트)아크릴아미드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 다공성 중공 고분자 입자
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 코어층은 직경이 10nm 내지 100㎛인 다공성 중공 고분자 입자
|
| 10 |
10
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 다공성 중공 고분자 입자는 직경이 100nm 내지 1000㎛인 다공성 중공 고분자 입자
|
| 11 |
11
제3항에 있어서, 상기 코어층, 중간층 및 쉘층 중 적어도 하나의 층에 다수의 미세 기공이 존재하는 다공성 중공 고분자 입자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 기공은 직경이 0
|
| 13 |
13
친수성 산 단량체를 포함하는 코어층 형성 단량체를 중합하여 코어층을 형성하는 단계; 및 상기 코어층의 존재하에, 쉘층 형성 단량체 및 염기성 화합물을 추가하고 중합 및 중화하여 쉘층을 형성하는 단계를 포함하는, 다수의 미세 기공이 존재하는 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 코어층 형성 단량체는 (메트)아크릴레이트의 C1-20 알킬 및 C3-20 알케닐 에스테르로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에틸렌성 불포화 단량체를 추가로 포함하는, 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 코어층을 형성하는 단계 이후에 그리고 셀층을 형성하는 단계 전에, 상기 코어층의 존재하에, 소수성 단량체 및 에틸렌성 불포화 단량체의 혼합물을 중합하여 중간층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서, 상기 중간층은 소수성 단량체 및 (메트)아크릴레이트의 C1-20 알킬 및 C3-20 알케닐 에스테르로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에틸렌성 불포화 단량체의 혼합물의 중합으로 형성되는, 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 혼합물은 친수성 산 단량체를 추가로 포함하는, 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 18 |
18
제13항에 있어서, 상기 쉘층 형성 단량체는 소수성 단량체인, 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 19 |
19
제13항 또는 제17항에 있어서,상기 친수성 산 단량체는 에틸렌성 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산의 모노 알킬 에스테르 및 비닐 벤조산으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종인, 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 20 |
20
제16항 또는 제18항에 있어서,상기 소수성 단량체는 스티렌, 비닐벤젠, 디비닐벤젠, 비닐톨루엔, 에틸렌, 비닐 아세테이트, 비닐 클로라이드, 비닐리덴 클로라이드, 아크릴로니트릴 및 (메트)아크릴아미드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 21 |
21
제13항에 있어서,상기 염기성 화합물은 암모니아, 소듐 하이드록사이드 및 포타슘 하이드록사이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나인, 다공성 중공 고분자 입자의 제조방법
|
| 22 |
22
제1항 내지 제6항, 제9항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항의 다공성 중공 고분자 입자를 포함하는 단열성 코팅 조성물
|
| 23 |
23
제22항에 있어서,상기 다공성 중공 고분자 입자는 상기 단열성 코팅 조성물의 총 고형분 100 중량부에 대하여 0
|
| 24 |
24
제22항에 있어서,상기 단열성 코팅 조성물은 우레탄 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 에스테르 수지 및 올레핀 수지로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 베이스 수지를 포함하는 단열성 코팅 조성물
|
| 25 |
25
강판 표면의 일면 또는 양면에 제22항의 단열성 코팅 조성물로 형성된 수지층을 갖는 단열성 강판
|
| 26 |
26
제25항에 있어서, 상기 강판은 냉연강판; 아연도금강판; 아연계 전기도금강판; 용융아연도금강판; 알루미늄도금강판; 도금층에 코발트, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 티탄, 알루미늄, 망간, 철, 마그네슘, 주석, 동 또는 이들의 혼합물인 불순물 또는 이종금속을 함유한 도금강판; 실리콘, 동 마그네슘, 철, 망간, 티탄, 아연 또는 이들의 혼합물을 첨가한 알루미늄 합금판; 인산염이 도포된 아연도금강판; 냉연강판; 및 열연강판으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 단열성 강판
|
