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타이타늄 임플란트의 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2018009324
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 타이타늄 임플란트의 표면을 양극산화공정을 이용하여 TiO2 나노튜브를 형성하고 처리함으로써 스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans)와 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균의 부착을 억제함과 함께 조골세포의 부착능을 향상시킬 수 있는 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 제조방법에 의하면 타이타늄 임플란트의 표면을 양극산화공정을 이용하여 TiO2 나노튜브를 형성하고 열처리 및/또는 상온 대기압 플라즈마를 이용하여 처리함으로써 스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 및/또는 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균의 부착을 억제함과 함께 조골세포의 부착능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL A61C 8/00 (2006.01.01) A61C 13/00 (2017.01.01) A61C 13/02 (2006.01.01) A61L 27/06 (2006.01.01) A61L 27/30 (2006.01.01)
CPC A61C 8/0013(2013.01) A61C 8/0013(2013.01) A61C 8/0013(2013.01) A61C 8/0013(2013.01) A61C 8/0013(2013.01) A61C 8/0013(2013.01)
출원번호/일자 1020160181183 (2016.12.28)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0076716 (2018.07.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180101240;
심사청구여부/일자 Y (2016.12.28)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임현필 대한민국 광주광역시 북구
2 지민경 대한민국 광주광역시 남구
3 박상원 대한민국 광주광역시 동구
4 이광민 대한민국 광주광역시 북구
5 김현승 대한민국 광주광역시 북구
6 조훈성 대한민국 광주광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1285953-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0359535-05
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0743842-12
5 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0852852-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0852337-01
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0852296-16
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0614547-13
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-1105475-06
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1227130-98
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-1227141-90
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0094806-14
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번호 청구항
1 1
타이타늄 임플란트를 준비하는 단계;양극산화공정을 이용하여 상기 타이타늄 임플란트의 표면에 TiO2 나노튜브를 형성하는 단계; 및TiO2 나노튜브가 형성된 상기 타이타늄 임플란트의 표면을 열처리하는 단계;를 포함하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
2 2
제 1 항에 있어서,스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 세균 부착의 증가를 방지하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 타이타늄 임플란트는 스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 세균에 의해 오염된 타이타늄 임플란트인 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
4 4
타이타늄 임플란트를 준비하는 단계;양극산화공정을 이용하여 상기 타이타늄 임플란트의 표면에 TiO2 나노튜브를 형성하는 단계; 및대기압 플라즈마를 이용하여 TiO2 나노튜브가 형성된 상기 타이타늄 임플란트의 표면을 처리하는 단계;를 포함하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
5 5
제 4 항에 있어서,포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균 부착의 증가를 방지함과 함께, 조골세포의 부착능을 향상시키는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 타이타늄 임플란트는 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균에 의해 오염된 타이타늄 임플란트인 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
7 7
타이타늄 임플란트를 준비하는 단계;양극산화공정을 이용하여 상기 타이타늄 임플란트의 표면에 TiO2 나노튜브를 형성하는 단계;TiO2 나노튜브가 형성된 상기 타이타늄 임플란트의 표면을 열처리하는 단계; 및대기압 플라즈마를 이용하여 열처리된 상기 타이타늄 임플란트의 표면을 처리하는 단계;를 포함하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
8 8
제 7 항에 있어서,스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 세균 및 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균 부착의 증가를 방지함과 함께, 조골세포의 부착능을 향상시키는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 타이타늄 임플란트는 스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 세균 및 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균에 의해 오염된 타이타늄 임플란트인 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양극산화공정을 이용하여 상기 타이타늄 임플란트의 표면에 TiO2 나노튜브를 형성하는 단계는, 증류수에 1M의 인산(H3PO4)과 1
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제 1 항 내지 제 3 항 및 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열처리는 소결로(sintering furnace)에서 수행하는데, 대기분위기에서 1℃/min의 조건으로 300 내지 700℃ 범위의 일정 온도로 승온시킨 후 1시간 동안 온도를 유지한 다음, 노냉하여 수행하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
12 12
제 4 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리는 60 내지 150 sec 범위의 일정 시간동안 수행하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 대기압 플라즈마는 상온 대기압 플라즈마 발생장치를 이용하여 발생시키며, 아르곤 99%와 산소 1%의 혼합기체를 이용하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 대기압 플라즈마 발생장치는 300W의 파워에서 10 L/min의 속도로 플라즈마를 발생시켜 처리하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101984799 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 전남대학교 산학협력단 일반연구자지원사업-신진연구지원사업 질화물과 양극산화를 이용한 임플란트주위염 억제 및 골유착 개선 표면개질 연구