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타이타늄 임플란트를 준비하는 단계;양극산화공정을 이용하여 상기 타이타늄 임플란트의 표면에 TiO2 나노튜브를 형성하는 단계; 및TiO2 나노튜브가 형성된 상기 타이타늄 임플란트의 표면을 열처리하는 단계;를 포함하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 1 항에 있어서,스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 세균 부착의 증가를 방지하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 2 항에 있어서,상기 타이타늄 임플란트는 스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 세균에 의해 오염된 타이타늄 임플란트인 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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타이타늄 임플란트를 준비하는 단계;양극산화공정을 이용하여 상기 타이타늄 임플란트의 표면에 TiO2 나노튜브를 형성하는 단계; 및대기압 플라즈마를 이용하여 TiO2 나노튜브가 형성된 상기 타이타늄 임플란트의 표면을 처리하는 단계;를 포함하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 4 항에 있어서,포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균 부착의 증가를 방지함과 함께, 조골세포의 부착능을 향상시키는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 5 항에 있어서,상기 타이타늄 임플란트는 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균에 의해 오염된 타이타늄 임플란트인 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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타이타늄 임플란트를 준비하는 단계;양극산화공정을 이용하여 상기 타이타늄 임플란트의 표면에 TiO2 나노튜브를 형성하는 단계;TiO2 나노튜브가 형성된 상기 타이타늄 임플란트의 표면을 열처리하는 단계; 및대기압 플라즈마를 이용하여 열처리된 상기 타이타늄 임플란트의 표면을 처리하는 단계;를 포함하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 7 항에 있어서,스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 세균 및 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균 부착의 증가를 방지함과 함께, 조골세포의 부착능을 향상시키는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 8 항에 있어서,상기 타이타늄 임플란트는 스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 세균 및 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균에 의해 오염된 타이타늄 임플란트인 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양극산화공정을 이용하여 상기 타이타늄 임플란트의 표면에 TiO2 나노튜브를 형성하는 단계는, 증류수에 1M의 인산(H3PO4)과 1
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제 1 항 내지 제 3 항 및 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열처리는 소결로(sintering furnace)에서 수행하는데, 대기분위기에서 1℃/min의 조건으로 300 내지 700℃ 범위의 일정 온도로 승온시킨 후 1시간 동안 온도를 유지한 다음, 노냉하여 수행하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 4 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리는 60 내지 150 sec 범위의 일정 시간동안 수행하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 12 항에 있어서,상기 대기압 플라즈마는 상온 대기압 플라즈마 발생장치를 이용하여 발생시키며, 아르곤 99%와 산소 1%의 혼합기체를 이용하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제 13 항에 있어서,상기 대기압 플라즈마 발생장치는 300W의 파워에서 10 L/min의 속도로 플라즈마를 발생시켜 처리하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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