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고유반도체(Intrinsic Semiconductor)층의 기설정된 영역에 유전체 A층이 형성되는 유전체 A층 형성단계;상기 유전체 A층 형성단계에서 형성된 상기 유전체 A층의 측면에 유전체 B층으로 더미게이트를 형성되는 더미게이트 형성단계;상기 더미게이트 형성단계에서 형성된 상기 더미게이트의 측면에 n 또는 p 타입 중 어느 하나인 제1반도체층이 형성되는 제1반도체층 형성단계;상기 제1반도체층 형성단계 이후에도 노출되어 있는 상기 유전체 A층이 식각되는 유전체 A층 식각단계;상기 유전체 A층 식각단계에서 노출된 상기 유전체 A층이 있던 위치 상에 그리고 상기 제1반도체층이 존재하는 위치 상에 상기 제1반도체층과 상이한 타입의 제2반도체층이 등축 성장되는 제2반도체층 형성단계;상기 제2반도체층 형성단계에 상기 제1반도체층 위에 형성된 상기 제2반도체층이 식각되는 제2반도체층 식각단계;상기 더미게이트 형성단계에서 형성된 상기 더미게이트가 식각되고 상기 더미 게이트가 식각된 위치에 게이트가 형성되는 게이트 형성단계; 및상기 제1반도체층, 상기 제2반도체층 및 상기 게이트 각각에 단자가 형성되는 단자 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유전체 A층과 상기 유전체 B층은 식각선택비(Etch selectivity)를 가진 유전체로 선택된 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고유반도체층은 단결정인 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제2항에 있어서,상기 유전체 A층은 SiO2이고, 상기 유전체 B층은 Al2O3인 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제3항에 있어서,상기 유전체 B층은 ALD(atomic layer deposition)방식으로 증착된 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 더미게이트 형성단계는,상기 고유반도체층 및 상기 유전체 A층 위에 상기 유전체 B층이 증착되는 유전체 B층 증착단계; 및상기 유전체 B층을 상기 유전체 B층의 증착두께만큼 식각하는 유전체 B층 식각단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제6항에 있어서,상기 유전체 B층을 식각하는 방법은 드라이 에칭(dry etching)인 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1반도체층 형성단계에서, 상기 제1반도체층은 등축성장 방식에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고유반도체층은 기판 또는 박막인 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유전체 A층 식각단계는,상기 유전체 A층이 식각된 부분의 상기 고유반도체층이 기설정된 깊이만큼 식각되는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2반도체층 형성단계는,상기 제2반도체층이 등축 성장되기 전에 상기 더미 게이트의 측면의 상기 고유반도체층이 식각되는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층은 등축성장 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제12항에 있어서,상기 고유반도체층은 InGaAs층인 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층은 서로 다른 타입으로 도핑된 InGaAs층인 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제1반도체층은 p타입 GaSb층이고 상기 제2반도체층은 n타입 InGaAs층인 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단자 형성단계에서,상기 단자는 상기 제1반도체층 또는 상기 제2반도체층의 도핑 타입에 따라 오믹접합(ohmic contact)되는 물질로 선택된 것을 특징으로 하는 터널 전계 트랜지스터 제조방법
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