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플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018009612
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시되는 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자는, 적층 성장된 복수의 질화물 반도체층; 및 상기 복수의 질화물 반도체층의 적층 성장을 위한 기재로 제공되는 성장기판;으로서, 상기 복수의 질화물 반도체층이 적층 성장되는 면으로 제공되는 성장 면;과, 상기 성장 면의 이면으로서, 상기 복수의 질화물 반도체층에서 생성되는 광이 외부로 방출되는 광 추출면;과, 상기 광 추출면에 구비되어 광의 추출 경로를 변경시키는 광 추출 요철;을 가지는 성장기판;을 포함한다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160184387 (2016.12.30)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0079029 (2018.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 광주광역시 광산구
2 정성훈 대한민국 광주광역시 북구
3 백종협 대한민국 대전광역시 서구
4 주진우 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 명장 대한민국 충청북도 청주시 서원구 산남로**번길 **, ***호(산남동, 원홍빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1298104-84
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-5015537-75
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0759576-03
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0006027-97
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0370411-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0759526-18
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0893568-82
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0108784-24
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.01.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0108689-95
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0147361-20
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2019.04.01 무효 (Invalidation) 1-1-2019-0334354-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적층 성장된 복수의 질화물 반도체층; 및상기 복수의 질화물 반도체층의 적층 성장을 위한 기재로 제공되는 성장기판;으로서, 상기 복수의 질화물 반도체층이 적층 성장되는 면으로 제공되는 성장 면;과, 상기 성장 면의 이면으로서, 상기 복수의 질화물 반도체층에서 생성되는 광이 외부로 방출되는 광 추출면;과, 상기 광 추출면에 구비되어 광의 추출 경로를 변경시키는 광 추출 요철;을 가지는 성장기판;을 포함하는 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 성장기판은, 사파이어(Al2O3) 재질로 구비되고,상기 성장기판의 두께는, 180~250um로 마련되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자
3 3
청구항 2에 있어서,상기 광 추출 요철은, 불 규칙적인 형상 및 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자
4 4
청구항 2에 있어서,상기 광 추출 요철은, 규칙적인 패턴을 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자
5 5
청구항 4에 있어서,상기 광 추출 요철은, 반구, 반타원체, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대 및 다각뿔대 중 선택된 하나의 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자
6 6
청구항 2에 있어서,상기 복수의 질화물 반도체층은, 순차로 적층 되는 n형 질화물 반도체층, 전자와 정공의 재결합에 의해 광자를 생성하는 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 성장 면과 상기 n형 질화물 반도체층 사이에 개재되며, 상기 성장기판과 상기 n형 질화물 반도체층 사이의 격자 부정합을 완화하는 버퍼층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자
7 7
청구항 6에 있어서,상기 버퍼층은, 0
8 8
180~250um의 두께를 가지며, 사파이어(Al2O3) 재질로 성장기판;을 준비하는 제1 단계;상기 성장기판의 제1 면에 요철을 형성하는 제2 단계; 및상기 제1 면의 이면인 제2 면에 복수의 질화물 반도체층을 적층 성장하는 제3 단계;를 포함하는 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국광기술원 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(LED/광) Green LED/LD용 에피웨이퍼 기술 개발