맞춤기술찾기

이전대상기술

3족 질화물 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2018009613
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시되는 3족 질화물 반도체 발광소자는, n형 3족 질화물 반도체층; 상기 n형 3족 질화물 반도체층의 상면에 적층되며, 상기 n형 3족 질화물 반도체층의 성장온도(T1)보다 설정된 온도(△T1)만큼 저온에서 성장되어, 상면에 V 형상의 단면을 가지는 브이핏(V-pit)을 형성하는 브이핏 씨앗층; 상기 브이핏 씨앗층 위에 성장되며, 상기 브이핏의 내부 사면에 반복 적층 성장되는 양자우물층과 장벽층으로 형성되는 브이핏 발광층을 가지는 활성층; 및 상기 활성층 위에 성장되며, InGaN으로 형성되는 브이핏 보호층;을 포함한다.
Int. CL H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01)
출원번호/일자 1020160184389 (2016.12.30)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0079031 (2018.07.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.30)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 광주광역시 광산구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
4 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
5 민판기 대한민국 대구광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 명장 대한민국 충청북도 청주시 서원구 산남로**번길 **, ***호(산남동, 원홍빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1298112-49
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-5015538-10
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0886327-97
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0173714-17
5 보정요구서
Request for Amendment
2018.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0033647-00
6 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0217150-98
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0274857-28
8 보정요구서
Request for Amendment
2018.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0047261-52
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0306979-85
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0385443-11
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0586845-12
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.10.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0970631-54
13 보정요구서
Request for Amendment
2018.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0158157-82
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-1000911-27
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0839037-05
16 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5004994-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 3족 질화물 반도체층;상기 n형 3족 질화물 반도체층의 상면에 적층되며, 상기 n형 3족 질화물 반도체층의 성장온도(T1)보다 설정된 온도(△T1)만큼 저온에서 성장되어, 상면에 V 형상의 단면을 가지는 브이핏(V-pit)을 형성하는 브이핏 씨앗층;상기 브이핏 씨앗층 위에 성장되며, 상기 브이핏의 내부 사면에 반복 적층 성장되는 양자우물층과 장벽층으로 형성되는 브이핏 발광층을 가지는 활성층; 상기 활성층 위에 성장되며, InGaN으로 형성되는 브이핏 보호층; 및상기 브이핏 보호층 위에 적층되는 p형 3족 질화물 반도체층;을 포함하며,상기 브이핏 보호층은, Mg로 도핑되어 p형 도전성을 가지는 InGaN으로 구비되는 것을 특징으로 하고,상기 브이핏 보호층은, 상기 활성층의 성장온도(T2)보다 저온에서 성장되는 것을 특징으로 하고,상기 브이핏 보호층은, H2 분위기에서 상기 브이핏 발광층의 둘레의 손상을 방지하는 것을 특징으로 하고,상기 브이핏 씨앗층과 상기 활성층 사이에 개재되며, InGaN과 GaN이 반복 적층 되어 형성되는 초격자층;을 더 포함하며,상기 초격자층은, 두께방향으로 In의 조성비가 주기적으로 증가와 감소가 반복되어 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서,상기 브이핏 씨앗층은,상기 n형 3족 질화물 반도체층 위에 적층되며, TEG(Triethylgallium)를 소스물질로 하여 성장되는 제1 씨앗층; 및상기 제1 씨앗층 위에 적층되며, TMG(Trimethylgallium)를 소스물질로 하여 성장되는 제2 씨앗층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
8 8
청구항 1에 있어서,상기 브이핏 씨앗층은, 상기 n형 3족 질화물 반도체층의 성장온도(T1)보다 150℃ 내지 600℃ 낮은 온도에서 성장되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국광기술원 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(LED/광) Green LED/LD용 에피웨이퍼 기술 개발