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1차광을 방출하는 발광다이오드 소자; 및상기 발광다이오드 소자 상부면에 배치되는 불투명한 우물 구조체;를 포함하고,상기 우물 구조체는 상기 발광다이오드 소자에서 방출되는 1차광에 의해 여기되어 상기 1차광의 파장보다 길거나 같은 파장의 2차광을 방출하는 형광체 혹은 양자점을 실장하는 것인, 발광다이오드 칩
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제 1항에 있어서,상기 우물 구조체는 단일 우물 구조 또는 복수의 우물 구조들로 이루어지며, 형광체 혹은 양자점이 실장된 상기 단일 우물 구조 또는 복수의 우물 구조들은 서로 동일하거나 상이한 파장의 2차광을 방출하는 것인, 발광다이오드 칩
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제 1항에 있어서,상기 단일 우물 구조 또는 복수의 우물 구조들은 1 내지 10 개의 우물 구조로 이루어진 것인, 발광다이오드 칩
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제 1항에 있어서,상기 발광다이오드 소자는 플립칩 구조, 수평형 구조 혹은 수직형 구조로 구성되는 것인, 발광다이오드 칩
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제 1항에 있어서,상기 발광다이오드 소자에 전류를 주입하기 위한 p-전극과 n-전극이 상기 발광다이오드 소자 하부면에 형성된 것인, 발광다이오드 칩
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제 1항에 있어서,상기 불투명한 우물 구조체의 격벽은 thick PR(포토레지스트)을 이용한 포토리소그래피 공정으로 제조되는 것인, 발광다이오드 칩
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제 1항에 있어서,상기 불투명한 우물 구조체의 격벽은 빛의 투과를 방지하기 위하여 PR(포토레지스트) 표면이 금속으로 코팅된 구조이거나 도금이 가능한 금속 자체로 구성된 구조인 것인, 발광다이오드 칩
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제 1항에 있어서,상기 격벽의 높이는 10 ~ 100㎛인 것인, 발광다이오드 칩
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제 1항에 있어서,상기 발광다이오드 소자는 가로×세로 크기가 100㎛×100㎛ 이하의 마이크로 LED인 것인, 발광다이오드 칩
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10
제 1항에 있어서,상기 발광다이오드 소자 하부면에 반사막을 추가로 구비하는, 발광다이오드 칩
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n-형 반도체층, 양자우물 구조의 활성층 및 p-형 반도체층이 순차적으로 형성된 GaN 에피층을 그 상부에 구비하는 성장기판을 준비하는 단계;상기 n-형 반도체층의 일부가 드러나도록 메사식각하는 단계;상기 메사식각된 GaN 에피층의 상부에 패시베이션층을 형성한 후 n-형 반도체층 상부 및 p-형 반도체층 상부의 패시베이션층 일부를 개구하고 각각의 개구 영역에 n-전극과 p-전극을 형성하는 단계;상기 n-전극 및 상기 p-전극 상부에 전극용 패드를 형성하는 단계;상기 성장기판을 상기 GaN 에피층으로부터 분리하는 단계; 및상기 GaN 에피층의 측면을 식각하고, 상기 GaN 에피층의 측면과 하부 가장자리에 10㎛ 내지 100㎛ 높이의 불투명한 격벽을 형성하는 단계를 포함하는, 발광다이오드 칩의 제조방법
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제 11항에 있어서,포토레지스트를 이용하여 패터닝하고 식각하여 상기 패시베이션층 일부를 개구하는 것인, 발광다이오드 칩의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 전극용 패드를 형성하는 단계는 상기 n-전극, 상기 p-전극 및 상기 패시베이션층 상부에 씨드 금속층을 형성한 후 thick PR(포토레지스트) 공정을 통하여 수행하는 것인, 발광다이오드 칩의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 성장기판을 상기 GaN 에피층으로부터 분리하는 단계는 레이저 리프트오프 공정 혹은 화학적 리프트오프 공정에 의하여 수행되는 것인, 발광다이오드 칩의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 불투명한 격벽을 형성하는 단계는 thick PR(포토레지스트)를 이용한 포토리소그래피 및 식각 공정을 통하여 수행되는 것인, 발광다이오드 칩의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 성장기판을 상기 GaN 에피층으로부터 분리한 후 상기 GaN 에피층의 측면을 식각하기 이전에, 상기 GaN 에피층으로부터 u-GaN(undoped GaN)을 식각하는 단계를 추가로 포함하는, 발광다이오드 칩의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 불투명한 격벽을 형성하는 단계는 금속을 도금하여 금속 자체로 상기 격벽을 제작하는 것인, 발광다이오드 칩의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 불투명한 격벽을 형성하는 단계는 thick PR(포토레지스트) 격벽의 표면을 금속으로 코팅하는 단계를 추가로 수행함으로써 이루어지는 것인, 발광다이오드 칩의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 불투명한 격벽을 형성하는 단계 이후에 상기 불투명한 우물 구조체에 형광체 혹은 양자점을 실장하는 단계를 추가로 포함하는, 발광다이오드 칩의 제조방법
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