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n-형 반도체층, 양자우물 구조의 활성층 및 p-형 반도체층이 순차적으로 적층된 에피층을 포함하는 발광다이오드; 상기 에피층 상의 일정 영역에 형성된 절연층; 및상기 절연층 상에 형성된 TFT를 포함하며, 상기 TFT는 상기 발광다이오드를 구동하기 위한 것인, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 1항에 있어서,상기 발광다이오드는 상기 n-형 반도체층의 일부가 드러나도록 메사식각된 형태인 것인, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 2항에 있어서,상기 절연층을 포함하는 상기 TFT는 p-형 반도체층 상부 또는 n-형 반도체층 상부에 형성되는 것인, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 3항에 있어서,상기 TFT가 n-형 반도체층 상부에 형성되는 경우, 상기 TFT는 상기 절연층 상에 드레인 전극과 소스 전극을 이격하여 구비하고, 상기 드레인 전극과 소스 전극의 각각의 적어도 일부와 접하도록 반도체 박막을 구비하며, 상기 반도체 박막 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 순차적으로 형성하여 이루어지며,상기 p-형 반도체층 상에는 애노드 전극을 구비하고, 상기 n-형 반도체층 상에는 캐소드 전극을 구비하며, 상기 드레인 전극과 상기 캐소드 전극이 서로 연결되는 것인, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 4항에 있어서,상기 애노드 전극과 상기 p-형 반도체층 사이에 투명한 전도성 산화물 박막을 추가로 구비하는, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 3항에 있어서,상기 TFT가 p-형 반도체층 상부에 형성되는 경우, 상기 TFT는 상기 절연층 상에 드레인 전극과 애노드 전극을 이격하여 구비하고, 상기 드레인 전극과 애노드 전극의 각각의 적어도 일부와 접하도록 반도체 박막을 구비하며, 상기 반도체 박막 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 순차적으로 형성하여 이루어지며,상기 n-형 반도체층 상에는 소스 전극을 구비하고, 상기 p-형 반도체층 상에는 캐소드 전극을 구비하며, 상기 드레인 전극과 상기 캐소드 전극이 서로 연결되는 것인, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 6항에 있어서,상기 p-형 반도체층 상에는 상기 캐소드 전극과 연결되는 투명한 전도성 산화물 박막을 추가로 구비하는, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 6항에 있어서,상기 p-형 반도체층과 상기 절연층 사이에 금속 반사층을 추가로 구비하며, 상기 금속반사층은 상기 캐소드 전극과 연결되는 것인, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 4항 또는 제 6항에 있어서,상기 반도체 박막은 LTPS; Si; 탄소나노튜브; 그래핀; 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 1항에 있어서,상기 TFT는 상기 에피층 상의 일정 영역에 형성된 절연층으로 보호되는 것인, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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n-형 반도체층, 양자우물 구조의 활성층 및 p-형 반도체층이 순차적으로 형성된 에피층을 포함하는 성장기판을 준비하는 단계;상기 n-형 반도체층의 일부가 드러나도록 메사식각하는 단계;상기 p-형 반도체층 상부 혹은 상기 n-형 반도체층 상부에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 TFT를 구현하는 단계; 및캐소드 전극과 애노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 절연층을 포함하는 상기 TFT가 상기 n-형 반도체층 상부에 형성되는 경우, 상기 절연층 형성 이후 상기 TFT를 구현하기 이전에, 상기 애노드 전극을 상기 p-형 반도체층 상에 형성하고 상기 캐소드 전극을 상기 n-형 반도체층 상에 형성하며, 상기 캐소드 전극은 상기 TFT의 드레인 전극과 연결되도록 형성하는, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 애노드 전극을 상기 p-형 반도체층 상에 형성하기 이전에 상기 p-형 반도체층 바로 위에 투명한 전도성 산화물 박막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 절연층을 포함하는 상기 TFT가 상기 p-형 반도체층 상부에 형성되는 경우, 상기 절연층 형성 이후 상기 TFT를 구현하기 이전에, 상기 n-형 반도체층 상에 소스 전극을 형성하고 상기 p-형 반도체층 상에 캐소드 전극을 형성하며, 상기 캐소드 전극은 상기 TFT의 드레인 전극과 연결되도록 형성하는, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자
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제 14항에 있어서,상기 p-형 반도체층 상에 캐소드 전극을 형성하기 이전에 상기 p-형 반도체층 바로 위에 상기 캐소드 전극과 연결되는 투명한 전도성 산화물 박막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 p-형 반도체층 상에 캐소드 전극을 형성하기 이전에 상기 p-형 반도체층 바로 위에 상기 캐소드 전극과 연결되는 금속 반사층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 액티브 매트릭스 디스플레이용 LED 소자의 제조방법
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