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제1실리콘층, 절연막과 제2실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI기판의 제2실리콘층 상부와 제1실리콘층 하부에 제1상부보호막 및 제1하부보호막을 각각 형성하는 제1단계;상기 제1상부보호막에 캔틸레버 아암의 두께를 조절하기 위한 제1패턴을 형성하는 제2단계;상기 제1패턴으로 상기 제2실리콘층에 캔틸레버 아암의 두께만큼 제1식각영역을 형성하는 제3단계;상기 제1패턴이 형성된 상기 제1상부보호막에 탐침의 상부 기울기를 형성하기 위한 제2패턴을 형성하는 제4단계;상기 제3단계의 제1식각영역을 기준으로 상기 절연막의 상부면이 노출될 때까지 상기 제2패턴으로 상기 제2실리콘층을 캔틸레버 아암의 두께만큼 남도록 제거함에 따라 상기 제2패턴 영역에 상기 캔틸레버 아암 영역이 형성되고, 상기 탐침의 상부기울기를 형성하는 제5단계;상기 제1상부보호막 및 상기 제1하부보호막을 제거하고, 상기 제2실리콘층 상부 전 영역 및 상기 제1실리콘층 하부 전 영역에 제2상부보호막(60) 및 제2하부보호막을 각각 형성하는 제6단계;상기 제2하부보호막에 상기 탐침의 하부 기울기를 형성하기 위한 제3패턴을 형성하는 제7단계;상기 제3패턴으로 상기 제1실리콘층을 일부 제거하여 상기 제1실리콘층에 제2식각영역을 형성하는 제8단계;상기 제3패턴이 형성된 제2하부보호막에 캔틸레버 지지대를 형성하기 위한 제4패턴을 형성하는 제9단계;상기 제8단계에서의 제2식각영역을 기준으로 상기 절연막의 하부면이 노출될 때까지 상기 제3패턴 및 제4패턴으로 상기 제1실리콘층을 제거하여 상기 캔틸레버 지지대를 형성하면서 상기 제1실리콘층을 일부만을 남기고 제거하는 제10단계; 상기 제10단계에서 노출된 상기 절연막을 제거하여 제3식각영역을 형성하고, 상기 제3식각영역을 이용하여 상기 제2실리콘층을 탐침 하부 기울기를 갖도록 상기 제1실리콘층 일부와 함께 제거하는 제11단계;상기 제1실리콘층 일부가 제거되면 노출된 절연막과 제2상부보호막 및 제2하부보호막을 제거하는 제12단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 탐침의 기울기는,상기 캔틸레버 아암의 선단부를 기준으로 바깥으로 10도~80도 기울어져 있는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 탐침의 상부 기울기는,상기 제2패턴의 형태 또는 식각 조건에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 탐침의 상부 및 하부 기울기는,상기 제1실리콘층 및 제2실리콘층의 결정 방향, 제2패턴의 형태, 제3식각영역의 형태 및 습식 식각 조건 중 어느 하나 또는 이들을 둘 이상 조합함에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1실리콘층 및 제2실리콘층은,003c#100003e#, 003c#110003e#, 003c#111003e# 결정 방향 중 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1실리콘층 및 제2실리콘층은,서로 동일한 결정 방향 또는 서로 다른 결정 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1패턴, 제2패턴, 제3패턴 및 제4패턴은,포토리소그라피 공정에 의한 레지스트 패턴에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1상부보호막, 제1하부보호막, 제2상부보호막 및 제2하부보호막은,SiNx, SiO2 및 Si3N4 중 어느 하나 또는 둘 이상 선택하여 한층 또는 다층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1상부보호막, 제1하부보호막, 제2상부보호막, 제2하부보호막 및 절연막의 제거는 습식 식각 또는 건식 식각으로 수행하는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 건식 식각은,BCl3, SiCl4, Cl2, HBr, SF6, CF4, C4F8, CH4, CHF3, NF3, CFCs(chlorofluorocarbons), H2 및 O2 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 가스를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1실리콘층 및 제2실리콘층의 제거는 습식 식각으로 수행하는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 4항, 제 9항 및 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 습식 식각은,KOH, N(CH3)4OH NaOH, NH4OH, H2SO4, HF, HCl, H3PO4, HNO3, CH3COOH, H2O2 및 H2O 중 어느 하나 이상을 포함하는 식각 용액을 사용하며,상기 식각 용액의 농도는 5 ~ 80% 범위이거나 식각 용액의 온도는 30 ~ 150℃ 범위인 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제12단계 이후에 탐침 끝의 사이즈를 줄이기 위한 산화막 형성 및 제거를 수행하는 것을 특징으로 하는 탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 캔틸레버 지지대는,상부에 단차를 가지는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법
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