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다음 단계를 포함하는 DDR (Decadodecasil 3R) 유형 제올라이트 분리막의 제조방법:(a) DDR 입자를 1-아다만탄아민(1-adamantanamine)을 포함하는 실리카 합성 전구물에 첨가하고 수열합성하여 1차 시드성장시켜 DDR 유형의 제올라이트 입자를 합성한 다음, 다공성 기판 상에 1 마이크로미터 이하의 DDR 유형의 제올라이트 입자를 증착시켜 시드층을 형성하는 단계; 및(b) 상기 시드층이 형성된 기판을 실리카 소스 및 메틸트로피늄염을 포함하는 수용액의 실리카 소스 합성 전구물에 첨가하고 144~960시간 동안 수열합성하여 2차 시드성장시켜 하나의 면이 분리막과 평행하게 형성되고, 상기 면의 수직인 방향으로 기공 구조가 배열되는 연속적인 면외 방향성을 지닌 소수성 분리막을 제작하는 단계
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제1항에 있어서, 상기 메틸트로피늄염은 메틸트로피늄 아이오다이드(methyltropinium iodide), 메틸트로피늄 플루오라이드(methyltropinium fluoride), 메틸트로피늄 클로라이드(methyltropinium chloride), 메틸트로피늄 브로마이드(methyltropinium bromide) 및 메틸트로피늄 하이드록사이드(methyltropinium hydroxide)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 DDR 유형 제올라이트 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리카 소스 합성 전구물은 SiO2: 메틸트로피늄염: NaOH: H2O = 100: 1~1000: 0~1000: 10~100000의 몰비로 구성된 것을 특징으로 하는 DDR 유형 제올라이트 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계 이후에 (c) 300~900℃에서 1~240시간 동안 소성하여 활성화시키는 단계를 추가로 포함하는 DDR 유형 제올라이트 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 다공성 기판은 알루미나, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리설폰, 폴리이미드, 실리카, 글래스 감마-알루미나, 멀라이트(mullite), 알루미나, 지르코니아(zirconia), 티타니아(titania), 이트리아(yttria), 세리아(ceria), 바나디아(vanadia), 실리콘, 스테인레스 스틸 및 카본으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 DDR 유형 제올라이트 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 70~250℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 DDR 유형 제올라이트 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 DDR 유형의 제올라이트 입자는 비시드성장법을 이용하여 수득한 DDR 입자를 ADA:EDA:SiO2:H2O = 1~100: 10~1000: 100: 100~100000의 몰비를 가진 합성 전구물을 첨가한 다음, 100~200℃에서 1~240시간 동안 수열합성하여 수득한 것을 특징으로 하는 DDR 유형의 제올라이트 분리막의 제조방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조되고, 하나의 면이 분리막과 평행하게 형성되고, 상기 면의 수직인 방향으로 기공 구조가 배열되는 연속적인 면외 방향성(out-of-plane)을 지닌 소수성 DDR 유형 제올라이트 분리막
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제8항의 DDR 유형 제올라이트 분리막을 이용하여 CH4, N2, O2, C2H4, C2H6, C3H6 및 C3H8으로 구성된 군에서 선택되는 분자와 CO2를 포함하는 혼합물로부터 CO2를 분리하는 방법
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