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갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법

  • 기술번호 : KST2018009805
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하기 위한 것으로서, 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피층의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피층을 성장시키는 제2단계와, 상기 패턴에 대응하여 상기 에피층에 갈라짐 배열을 형성시키는 제3단계 및 상기 에피층의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 상기 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 반도체 기판 상에 갈라짐 패턴을 형성함에 따라 에피층에 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 반도체 기판으로부터 에피층을 신속히 분리할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/78 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/20 (2006.01.01)
CPC H01L 21/7806(2013.01) H01L 21/7806(2013.01) H01L 21/7806(2013.01) H01L 21/7806(2013.01)
출원번호/일자 1020160184217 (2016.12.30)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0079600 (2018.07.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오세웅 대한민국 서울특별시 관악구
2 신찬수 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 최재혁 대한민국 경기도 화성
4 이규범 대한민국 인천광역시 남동구
5 박원규 대한민국 서울특별시 서초구
6 이태영 대한민국 서울시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1297696-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0519833-15
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0969718-03
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0969719-48
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0807515-23
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번호 청구항
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실리콘 기반 에피박막 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서,상기 실리콘 상에 상기 에피박막의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 (가)단계;상기 패턴이 형성된 실리콘 상에 에피박막을 성장시키는 (나)단계;상기 패턴에 대응하여 상기 에피박막에 갈라짐 배열을 형성시키는 (다)단계;상기 에피박막 상에 에피층을 형성하는 (라)단계;상기 에피박막의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피박막 및 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하는 (마)단계;상기 실리콘 기반 에피박막 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 (사)단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법
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제 5항에 있어서, 상기 에피박막 상에 에피층을 형성하기 전에, 상기 실리콘 기반의 에피박막 상부에 희생층을 형성하고, 상기 희생층 상부에 에피층을 성장시킴으로써,상기 희생층 상하부의 에피박막 및 에피층에 각각 상기 갈라짐 배열에 대응하는 유체채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법
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제 5항에 있어서, 상기 실리콘 상에 형성된 패턴은,상기 실리콘과 에피박막 사이에 발생하는 응력에 대해 방향성이 있는 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법
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제 7항에 있어서, 상기 실리콘 상에 형성된 패턴은,특정 결정 방향으로 응력을 받을 수 있는 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법
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제 5항 내지 제 8항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 에피층에 형성된 유체채널은, 어레이(array) 형태의 소자 제작시 고립(isolation) 공정을 대체할 수 있는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법
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