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레이저에 의해 제1대상체로부터 제2대상체를 분리시키는 레이저 리프트 오프 방법에 있어서,제1대상체 및 제2대상체 사이에 희생분리층을 형성하되,상기 희생분리층은 상기 제1대상체 및 제2대상체의 밴드갭보다 상대적으로 작은 밴드갭을 가지고,상기 제1대상체는 지지기판이고, 제2대상체는 질화물계 반도체층이고,상기 질화물계 반도체층은 단위 질화물계 반도체층이 다중 접합 형태로 구현되며,상기 다중 접합 형태의 질화물계 반도체층은,상기 지지기판 상에 순차적으로 적층되는 채널층 및 베리어층 또는 버퍼층, 채널층 및 베리어층이 n번 반복적으로 구현되거나(n은 1 이상의 자연수),상기 지지기판 상에 순차적으로 적층되는 채널층, 베리어층 및 채널층이 m번 반복적으로 구현되어(m은 1 이상의 자연수),분리를 원하는 상기 채널층 및 베리어층 사이에 상기 희생분리층을 단일 또는 복수개 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 1항에 있어서, 상기 희생분리층은,상기 질화물계 반도체층 내부에 분리를 원하는 영역에 단일 또는 복수개로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 1항에 있어서,상기 희생분리층은,InxGa1-xN(0003c#x≤1)을 사용하며, 두께는 5~100nm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층 또는 채널층은 갈륨(Ga)과 질소(N) 중 적어도 하나를 포함하고,상기 베리어층은 AlxGa1-xN(0003c#x≤1), InAlN 및 InAlGaN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 1항에 있어서, 상기 희생분리층이 복수개로 형성되어 상기 지지기판으로부터 레이저가 조사되는 경우,상기 희생분리층은 InxGa1-xN(0003c#x≤1)을 사용하며, 두께는 5~100nm이고,상기 지지기판으로부터 멀어질수록 x의 값이 순차적으로 증가하거나, 상기 지지기판으로부터 멀어질수록 밴드갭이 순차적으로 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 1항에 있어서, 상기 레이저는,상기 지지기판 측뿐만 아니라 상기 질화물계 반도체층 측에서도 조사하거나,상기 지지기판과 질화물계 반도체층 양방향에서 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 1항에 있어서, 상기 지지기판은,사파이어, SiC, GaN, AlN, BN, ZnO, MgO, MgAl2O4, LiAlO2 및 LiGaO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 1항에 있어서, 상기 레이저(Laser)는,Pulse Ar+ laser, Pulse Kr+ laser, Copper vapor laser, Gold vapor laser 및 Nd:YAG laser 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 1항, 제 3항, 제 4항, 제 7항 내지 제 11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1대상체로부터 분리된 제2대상체는 소자기판에 전사 또는 접합되어 반도체 소자로 제작되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 12항에 있어서, 상기 반도체 소자는,질화물계 트랜지스터, LED, 태양전지, HEMT(High Electron Mobility Transistor), HFET(Heterostructure FET) 및 이종 물질 간 계면에서 발생하는 2DEG(2차원 전자가스, two-dimensional electron gas)를 이용하는 트랜지스터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법
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제 13항의 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법에 의해 제작된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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