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고분자 막 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018009874
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비양쪽성 고분자 막, 및 상기 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL B05D 5/12 (2006.01.01) C08J 5/22 (2006.01.01) B05D 7/24 (2006.01.01) C08L 65/00 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/772 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC B05D 5/12(2013.01) B05D 5/12(2013.01) B05D 5/12(2013.01) B05D 5/12(2013.01) B05D 5/12(2013.01) B05D 5/12(2013.01) B05D 5/12(2013.01) B05D 5/12(2013.01)
출원번호/일자 1020170001158 (2017.01.04)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0080441 (2018.07.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020200046079;
심사청구여부/일자 Y (2018.01.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박소정 서울특별시 서대문구
2 오세진 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0009667-77
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0011001-28
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0010974-48
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0010954-35
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.08.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0054896-58
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0305381-06
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0669675-14
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.07.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0691543-57
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0691494-18
11 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2019.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0128454-56
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0042787-06
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-0177037-67
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2020.02.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0177038-13
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0196269-89
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2020.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0392747-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비양쪽성 고분자-함유 용액을 서브페이즈(subphase) 액체 표면에 적가하고; 및상기 서브페이즈 액체-공기 계면에서 상기 비양쪽성 고분자-함유 용액의 용매가 증발함에 따라 상기 비양쪽성 고분자 막이 형성되는 것을 포함하는, 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 서브페이즈 액체-공기 계면에서 상기 비양쪽성 고분자가 자기조립됨에 따라 상기 비양쪽성 고분자 막이 형성되는 것인, 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 비양쪽성 고분자 막은 상기 비양쪽성 고분자의 나노와이어들의 어레이를 포함하는 것인, 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 비양쪽성 고분자는 단일중합체(homopolymer)인 것인, 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 비양쪽성 고분자는 폴리티오펜 계열, 폴리파라페닐렌 비닐렌 계열, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 고분자를 포함하는 것인, 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 서브페이즈 액체는 물, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 글리세롤, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인, 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 비양쪽성 고분자-함유 용액의 농도는 모노레이어(monolayer) 형성 시 10 μM 내지 100 μM 인 것인, 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 비양쪽성 고분자의 분자량은 1 kDa 내지 10 kDa인 것인, 비양쪽성 고분자 막의 제조 방법
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되는, 비양쪽성 고분자 막
10 10
제 9 항에 있어서,상기 비양쪽성 고분자 막의 두께는 1 nm 내지 20 nm 인 것인, 비양쪽성 고분자 막
11 11
제 9 항에 있어서,상기 비양쪽성 고분자 막은 상기 비양쪽성 고분자의 나노와이어들의 어레이를 포함하는 것인, 비양쪽성 고분자 막
12 12
제 9 항에 있어서,상기 비양쪽성 고분자는 폴리티오펜 계열, 폴리파라페닐렌 비닐렌 계열, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 고분자를 포함하는 것인, 비양쪽성 고분자 막
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020200043344 KR 대한민국 FAMILY

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